[发明专利]用于EUV光刻的光学配置

权利要求书

1.一种用于EUV光刻的光学配置(1)，其包括：

至少一个具有主体(32)的部件(16、23、27)，该主体具有在该光学配置(1)的操作期间暴露于活性氢(H⁺、H^*)的至少一个表面区域(30、30a，b)，其中该主体(32)包含至少一个材料，其接触该表面区域(30、30a，b)时与该活性氢(H⁺、H^*)形成至少一个挥发性氢化物，

其特征在于，

在该表面区域(30、30a，b)处将贵金属离子(38)植入该主体(32)。

2.如权利要求1所述的光学配置，其中该贵金属离子选自于包括以下的组：Pt、Pd、Au、Rh、Ir。

3.如权利要求1或2所述的光学配置，其中，形成该挥发性氢化物的材料选自于包括以下的组：Si、Ge、Sn、Zn、In。

4.如上述权利要求中任一项所述的光学配置，其中，该贵金属离子(38)以介于0.5nm和1000nm之间，最好介于0.5nm和100nm之间的植入深度(T)来植入该主体(32)内。

5.如上述权利要求中任一项所述的光学配置，其中，该贵金属离子(38)以不超过200个原子的簇集植入该主体(32)中。

6.如上述权利要求中任一项所述的光学配置，其中，在该表面区域(30)上，另外将硼离子、磷离子、氮离子(39)和/或惰性气体离子植入该主体(32)内。

7.如上述权利要求中任一项所述的光学配置，其中，该主体(32)形成反射光学元件(16、23)的基板，并且其中，用于反射EUV辐射(37)的反射涂层(35)被施加于该主体(32)上。

8.如权利要求7所述的光学配置，其中，该主体(32)由石英玻璃，特别是掺杂钛的石英玻璃、玻璃陶瓷或硅，特别是单晶硅或多晶硅形成，或者其中，该主体(32)在该表面区域(30)内具有包含形成该挥发性氢化物(SiH₄)的材料(Si)的涂层(34)。

9.如权利要求1至5中任一项所述的光学配置，其中，该主体(32)形成于非光学部件(27)上。

10.如上述权利要求中任一项所述的光学配置，其中，该主体(32)由金属材料、最好由高强度钢、特别是由含氮高强度钢所形成。

11.如上述权利要求中任一项所述的光学配置，还包括：至少一个屏蔽件(40)，其装配至该主体(32)的表面区域(30)。

12.如上述权利要求中任一项所述的光学配置，还包括：

EUV光源(2)，用于产生EUV辐射(37)，

照明系统(10)，用于以该EUV光源(2)的EUV辐射(37)照明结构化物体(M)，以及

投射镜头(20)，用于将该结构化物体(M)成像在基板(W)上。