[发明专利]粘着胶带及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201980020569.5 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN111868190A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 垣内康彦;前田淳;西田卓生 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: C09J7/20 分类号: C09J7/20;B32B27/00;C09J7/38;H01L21/301;H01L21/304
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;刘言
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 粘着 胶带 半导体 装置 制造 方法
【说明书】:

本发明提供一种即使在所谓的预切割法之后进行干式抛光时,也能够稳定地保持芯片等的粘着胶带。所述粘着胶带在对半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的背面进行磨削,并通过该磨削使半导体晶圆单颗化为半导体芯片后,进行干式抛光的工序中,贴附于半导体晶圆表面而进行使用,所述粘着胶带包含基材、及设置在该基材的一面的粘着剂层,60℃下的所述基材的拉伸储能模量为250Mpa以上。

技术领域

本发明涉及一种粘着胶带,更详细而言,涉及一种在通过所谓的预切割(predicing)法将半导体晶圆芯片化进而进行干式抛光而制造半导体装置时,用于用以将半导体晶圆、芯片等暂时固定的粘着胶带、及使用了该粘着胶带的半导体装置的制造方法。

背景技术

随着各种电子设备的小型化、多功能化的进展,对于搭载于这些电子设备的半导体芯片也同样要求小型化、薄型化。为了芯片的薄型化,通常会对半导体晶圆的背面进行磨削来调节厚度。此外,有时也会利用被称为预切割法的技术,其中,从晶圆的表面侧形成规定深度的沟槽后,从晶圆背面侧进行磨削,通过磨削将沟槽的底部去除而将晶圆单颗化(singulation),进而得到芯片。在预切割法中,由于能够同时进行晶圆的背面磨削与晶圆的单颗化,因此能够高效地制造薄型芯片。

以往,对半导体晶圆的背面进行磨削时或通过预切割法而制造芯片时,通常会将被称为背磨胶带的粘着胶带贴附在晶圆表面,用以保护晶圆表面的电路,并事先将半导体晶圆及半导体芯片固定。

作为在预切割法中使用的背磨胶带,可例示具备基材、及设置在基材的一侧的面的粘着剂层的粘着胶带。作为这样粘着胶带的一个例子,日本特开2015-185691号公报(专利文献1)中提出了一种在基材膜上设置有放射线固化性粘着剂层的半导体晶圆加工用粘着胶带。在专利文献1中,作为基材膜,公开了一种至少层叠有选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯及乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中的两种不同材料的基材膜,作为优选的具体实例,公开了一种由聚乙烯/聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚乙烯这3层构成的基材膜。

当进行如上所述的利用预切割法的晶圆的单颗化时,在进行背面磨削时,为了去除磨削时所产生的热量、磨削屑等,会一边对磨削面供给水一边进行背面磨削。然而已知在这样的以往的背面磨削中,会在芯片背面残留磨削痕,成为损害芯片的抗折强度的主要原因。特别是,作为芯片的薄型化及小型化的结果,芯片变得容易损坏,因此芯片的抗折强度的降低被视为问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015-185691号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

为了将如上所述的磨削痕(以下,有时称为“损伤部”)去除,已研究了在使用了水的背面磨削后,进一步在最后通过不使用水的干式抛光(dry polishing)来去除损伤部,提高芯片的抗折强度。干式抛光是指不使用包含水、研磨粒的浆料而通过研磨抛光轮(polishing buff)进行研磨的工序。

然而,与背面磨削工序不同,由于在干式抛光时不使用水,因此无法通过水去除研磨时所产生的热量,导致芯片带热量。芯片的热量会传送至贴附在芯片上的粘着胶带。其结果,在干式抛光时粘着胶带的温度有时会变为60℃以上。

由于粘着胶带的基材由树脂成分形成,因此容易因热导致变形。在干式抛光时,若粘着胶带的基材因热而变形,则在端部,粘着胶带的固定会变得不充分,无法充分保持粘着胶带上的芯片,导致芯片剥离并飞散。这样的芯片飞散不仅会造成产率降低,且会因飞散的芯片接触其它芯片而导致其它芯片发生破损、或对磨削装置造成损伤,因此会导致向下一个工序的转运不良。

本发明鉴于上述实际情况而成,其目的在于提供一种即使在所谓的预切割法之后进行干式抛光时,也能够稳定地保持芯片等的粘着胶带。

解决技术问题的技术手段

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