[发明专利]积和运算装置

权利要求书

1.一种积和运算装置，其特征在于，包括：

多个存储单元，具有电阻值可变的电阻变化元件且配置成矩阵状；

多条输入线，与各行对应设置且连接行内的所述存储单元；

多条输出线，与各列对应设置且连接列内的所述存储单元，分别检测使所述多条输入线的电位同时变化时流过的电流的大小作为积和运算值；

开关元件，设置在所述存储单元中，在所述输入线和所述输出线之间与所述电阻变化元件串联连接，且连接于比所述电阻变化元件更靠近所述输入线侧；以及

MOS型的第一晶体管，设置在所述存储单元中，在比所述开关元件更靠近所述输出线侧与所述电阻变化元件串联连接。

2.根据权利要求1所述的积和运算装置，其特征在于，

所述积和运算装置包括第一控制线，所述第一控制线与各列对应地设置有多条且分别与对应列内的各所述存储单元的所述第一晶体管的栅极及对应列的所述输出线连接。

3.根据权利要求1所述的积和运算装置，其特征在于，

所述开关元件是MOS型的第二晶体管。

4.根据权利要求2所述的积和运算装置，其特征在于，

所述开关元件是MOS型的第二晶体管。

5.根据权利要求3所述的积和运算装置，其特征在于，

所述积和运算装置包括第二控制线，所述第二控制线与各列对应地设置有多条且分别与对应的列内的各所述存储单元的所述第二晶体管的栅极连接，所述第二控制线向所述第二晶体管的栅极提供动作电位。

6.根据权利要求4所述的积和运算装置，其特征在于，

所述积和运算装置包括第二控制线，所述第二控制线与各列对应地设置有多条且分别与对应的列内的各所述存储单元的所述第二晶体管的栅极连接，所述第二控制线向所述第二晶体管的栅极提供动作电位。

7.根据权利要求5所述的积和运算装置，其特征在于，

多条所述第二控制线中的与不检测积和运算值的所述输出线的列对应的所述第二控制线被控制为不对与所述第二控制线连接的所述第二晶体管的栅极施加所述动作电位。

8.根据权利要求6所述的积和运算装置，其特征在于，

多条所述第二控制线中的与不检测积和运算值的所述输出线的列对应的所述第二控制线被控制为不对与所述第二控制线连接的所述第二晶体管的栅极施加所述动作电位。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的积和运算装置，其特征在于，

所述第一晶体管连接于比所述电阻变化元件更靠近所述输出线侧。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的积和运算装置，其特征在于，

所述电阻变化元件是包括存储栅电极及电荷蓄积层的存储晶体管。

11.根据权利要求9所述的积和运算装置，其特征在于，

所述电阻变化元件是包括存储栅电极及电荷蓄积层的存储晶体管。

12.根据权利要求3～8中任一项所述的积和运算装置，其特征在于，

所述存储单元包括：

漏极和源极，形成于P阱的表面上；

存储栅极结构体，包括电荷蓄积层和存储栅电极，所述存储栅极结构体配置在所述漏极和所述源极之间的所述P阱的表面上，形成根据向所述电荷蓄积层中蓄积的电荷量使阈值电压变化的所述电阻变化元件；

第一栅极结构体，配置在所述存储栅极结构体和所述源极之间的所述P阱的表面上，形成所述第一晶体管；以及

第二栅极结构体，配置在所述存储栅极结构体和所述漏极之间的所述P阱的表面上，形成所述第二晶体管。