[发明专利]扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片

说明书

本发明提供一种扩片方法，该方法包括：贴合工序，将多个被粘附物贴合于粘合片(10)的第一粘合剂层(12)或第二粘合剂层(13)；扩片工序，使粘合片(10)伸展，以扩大所述多个被粘附物的间隔；以及能量射线照射工序，对第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)照射能量射线，以使第一粘合剂层(12)及第二粘合剂层(13)固化，所述粘合片(10)具有含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层(12)、含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层(13)、以及基材(11)。

技术领域

本发明涉及扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片。

背景技术

近年来，电子设备的小型化、轻质化及高功能化不断发展。对于电子设备所搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。半导体芯片有时被安装于与其尺寸接近的封装件。这样的封装件有时也被称为芯片级封装件(Chip Scale Package；CSP)。作为CSP之一，可以举出晶片级封装件(Wafer Level Package；WLP)。在WLP中，在通过切割进行单片化之前，在晶片形成外部电极等，最终将晶片切割而进行单片化。作为WLP，可以列举扇入(Fan-In)型和扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下，有时简称为“FO-WLP”)中，将半导体芯片用密封材料覆盖成为比芯片尺寸大的区域，形成半导体芯片密封体，不仅在半导体芯片的电路面、在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。

例如，专利文献1中记载了一种半导体封装件的制造方法，该方法包括：对于由半导体晶片经单片化而成的多个半导体芯片，保留其电路形成面，使用模具构件将其周围包围而形成扩张晶片，使再布线图案延伸至半导体芯片外的区域而形成半导体封装件。在专利文献1所记载的制造方法中，在用模具构件包围单片化而成的多个半导体芯片之前，替换地粘贴于扩展片，将扩展片延展而使多个半导体芯片之间的距离扩大。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2010/058646号

发明内容

发明要解决的课题

在上述这样的FO-WLP的制造方法中，存在下述课题：为了在半导体芯片外的区域形成上述的再布线图案等，希望使扩展片(粘合片)伸展而使半导体芯片彼此充分疏离，并保持伸展后的粘合片的扩张状态。这样的课题并不限于半导体芯片，对于其它被粘附物而言也是同样的。

本发明的目的在于提供能够使在扩片工序中发生扩张后的状态的粘合片形状得以保持的扩片方法(expanding method)、以及用于该扩片方法的粘合片。本发明的其它目的还在于提供包括该扩片方法的半导体装置的制造方法。

解决课题的方法

根据本发明的一个实施方式，可提供一种扩片方法，该方法包括：

贴合工序：将多个被粘附物贴合于粘合片的第一粘合剂层或第二粘合剂层，所述粘合片具有含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层、含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层、以及上述第一粘合剂层与上述第二粘合剂层之间的基材；

扩片工序：使上述粘合片伸展，以扩大上述多个被粘附物的间隔；以及

能量射线照射工序：对上述第一粘合剂层及上述第二粘合剂层照射能量射线，以使上述第一粘合剂层及上述第二粘合剂层固化。

在本发明的一个实施方式的扩片方法中，优选上述第一能量射线固化性树脂与上述第二能量射线固化性树脂相同。

在本发明的一个实施方式的扩片方法中，优选上述第一粘合剂层的组成与上述第二粘合剂层的组成相同。

在本发明的一个实施方式的扩片方法中，优选上述第一粘合剂层的厚度与上述第二粘合剂层的厚度相同。