[发明专利]扩片方法、半导体装置的制造方法、以及粘合片

权利要求书

1.一种扩片方法，该方法包括：

贴合工序，将多个被粘附物贴合于粘合片的第一粘合剂层或第二粘合剂层；

扩片工序，使所述粘合片伸展，以扩大所述多个被粘附物的间隔；以及

能量射线照射工序，对所述第一粘合剂层及所述第二粘合剂层照射能量射线，以使所述第一粘合剂层及所述第二粘合剂层固化，

所述粘合片具有：

含有第一能量射线固化性树脂的第一粘合剂层、

含有第二能量射线固化性树脂的第二粘合剂层、以及

所述第一粘合剂层与所述第二粘合剂层之间的基材。

2.根据权利要求1所述的扩片方法，其中，所述第一能量射线固化性树脂与所述第二能量射线固化性树脂相同。

3.根据权利要求1或2所述的扩片方法，其中，所述第一粘合剂层的组成与所述第二粘合剂层的组成相同。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的扩片方法，其中，所述第一粘合剂层的厚度与所述第二粘合剂层的厚度相同。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的扩片方法，其中，

在所述贴合工序中，将所述多个被粘附物贴合于所述第一粘合剂层，

在所述能量射线照射工序中，从所述第二粘合剂层侧照射能量射线，以使所述第一粘合剂层及所述第二粘合剂层固化。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的扩片方法，其中，所述被粘附物为半导体芯片。

7.一种半导体装置的制造方法，其包括权利要求1～6中任一项所述的扩片方法，

其中，该制造方法包括对贴合于切割用粘合片的被加工物进行切割而得到单片化后的多个被粘附物的工序，

在所述贴合工序中，在所述多个被粘附物的和与所述切割用粘合片相接的面为相反侧的一面贴合所述粘合片的所述第一粘合剂层或所述第二粘合剂层，

在所述贴合工序之后，实施将所述切割用粘合片与所述多个被粘附物分离的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在将所述切割用粘合片与所述多个被粘附物分离之后，实施所述扩片工序。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述切割用粘合片包含膨胀性微粒，

在将所述切割用粘合片与所述多个被粘附物分离的工序中，使所述膨胀性微粒膨胀，从而将贴合于所述粘合片的所述多个被粘附物与所述切割用粘合片分离。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，该制造方法包括：

第二转印工序，在所述扩片工序之后，将所述多个被粘附物转印至具有第二基材及第三粘合剂层的第二粘合片；以及

第三转印工序，将贴合于所述第二粘合片的所述多个被粘附物转印至具有第三基材及第四粘合剂层的第三粘合片，

所述第三粘合片包含膨胀性微粒，

在所述第二转印工序中，在所述多个被粘附物的和与所述第一粘合剂层或所述第二粘合剂层相接的面为相反侧的一面贴合所述第二粘合片的所述第三粘合剂层，将所述粘合片从所述多个被粘附物分离，

在所述第三转印工序中，在所述多个被粘附物的与所述第三粘合剂层相接的面为相反侧的一面贴合所述第三粘合片的所述第四粘合剂层，将所述第二粘合片从所述多个被粘附物分离。