[发明专利]导电膜形成用组合物和导电膜的制造方法

说明书

本发明的导电膜形成用组合物包含扁平状金属颗粒和树脂。扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层。扁平状金属颗粒中的金属氧化物层的厚度相对于该颗粒的厚度之比为0.010以上且0.300以下。金属氧化物层的厚度为0.010μm以上且2.000μm以下。此外，本发明的导电膜的制造方法使用包含扁平状金属颗粒和树脂的导电膜形成用组合物。在基材上涂布导电膜形成用组合物而形成涂膜，然后对该涂膜照射光进行焙烧，从而得到导电膜。扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层。

技术领域

本发明涉及导电膜形成用组合物和导电膜的制造方法。

背景技术

作为在基板上形成包含导电膜的导电图案的技术，已知例如使用包含金属颗粒等导电性颗粒和树脂的组合物，在基板上形成规定图案的涂膜，并使该涂膜中的导电性颗粒烧结而形成导电膜的方法。导电性颗粒的烧结通常使用将涂膜进行加热焙烧的方法。

例如，专利文献1中记载了一种导电膜形成用涂料，其含有平均粒径为10～100nm的微细铜粉、体积累计粒径D₅₀为0.3～20.0μm的粗大铜粉、D₅₀为0.1～10.0μm的氧化铜粉(CuO)和树脂。该文献中还记载了使用该导电膜形成用涂料形成涂膜后，通过进行光焙烧而能够制造导电膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-66269号公报

发明内容

但是，专利文献1所述的导电膜形成用涂料由于微细铜粉的含量多，因此，光焙烧时的微细铜粉的体积收缩程度大，形成平滑性差的导电膜。另一方面，若减少导电膜形成用涂料中的微细铜粉的含量，则铜颗粒彼此的烧结难以推进，其结果，导电膜的电阻率变高。

因此，本发明的课题是提供用于形成平滑性优异且电阻率低的导电膜的导电膜形成用组合物和该导电膜的制造方法。

本发明提供一种导电膜形成用组合物，其为包含扁平状金属颗粒和树脂的导电膜形成用组合物，

前述扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层，

前述金属氧化物层的厚度相对于前述扁平状金属颗粒的厚度之比为0.010以上且0.300以下，

前述金属氧化物层的厚度为0.010μm以上且2.000μm以下。

此外，本发明提供一种导电膜的制造方法，其使用包含扁平状金属颗粒和树脂的导电膜形成用组合物，

前述扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层，

在基材上涂布前述导电膜形成用组合物而形成涂膜，然后对该涂膜照射光进行焙烧，从而得到导电膜。

附图说明

图1的(a)是示出本发明中使用的扁平状金属颗粒的形态的示意立体图，图1的(b)是图1的(a)的I-I面处的截面图。

具体实施方式

以下，针对本发明基于其优选实施方式进行说明。本发明的导电膜形成用组合物包含扁平状金属颗粒和树脂。

本发明的导电膜形成用组合物中包含的扁平状金属颗粒对由该组合物形成的导电膜赋予导电性。扁平状金属颗粒可以在焙烧前就具有导电性，或者，也可以是通过焙烧发生化学变化而能够表现出导电性的物质。

作为这种金属颗粒，可列举出例如金、银、铜、镍、钴、锌、锡、铟、镓、铝、钯、钽和铌、以及包含它们中的2种以上的组合的合金的颗粒。这些之中，从获取容易度和高导电率的观点出发，作为金属颗粒而优选使用铜颗粒。需要说明的是，在不损害本发明效果的范围内，允许扁平状金属颗粒含有不可避免的杂质。