[发明专利]导电膜形成用组合物和导电膜的制造方法有效
| 申请号： | 201980017407.6 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111837199B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 穴井圭;福里骏 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;C09D5/24;C09D7/61;C09D201/00;H01B1/00;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 形成 组合 制造 方法 | ||
1.一种导电膜形成用组合物，其为包含扁平状金属颗粒和树脂的导电膜形成用组合物，
所述扁平状金属颗粒在其表面部具有金属氧化物层，
所述金属氧化物层的厚度相对于所述扁平状金属颗粒的厚度之比为0.010以上且0.300以下，
所述金属氧化物层的厚度为0.010μm以上且2.000μm以下，
相对于导电膜形成用组合物所包含的金属颗粒的总量100质量份，配混0.1质量份以上且20.0质量份以下的树脂。
2.根据权利要求1所述的导电膜形成用组合物，其中，所述扁平状金属颗粒的厚度为0.20μm以上且5.00μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的导电膜形成用组合物，其中，基于激光衍射散射式粒度分布测定法的累积体积为50容量％时的所述扁平状金属颗粒的体积累积粒径D50为0.50μm以上且15.00μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的导电膜形成用组合物，其中，所述扁平状金属颗粒的宽度方向的长度相对于所述扁平状金属颗粒的厚度之比为2.00以上且10.00以下。
5.根据权利要求1或2所述的导电膜形成用组合物，其进一步包含直径比所述扁平状金属颗粒小的小径金属颗粒。
6.根据权利要求5所述的导电膜形成用组合物，其中，所述小径金属颗粒的含量相对于所述扁平状金属颗粒与所述小径金属颗粒的合计质量为1.0质量％以上且20.0质量％以下。
7.根据权利要求5所述的导电膜形成用组合物，其中，基于激光衍射散射式粒度分布测定法的累积体积为50容量％时的所述小径金属颗粒的体积累积粒径D50为0.05μm以上且0.50μm以下。
8.根据权利要求5所述的导电膜形成用组合物，其中，所述小径金属颗粒为球状。
9.根据权利要求5所述的导电膜形成用组合物，其中，所述小径金属颗粒在其表面部不具有金属氧化物层。
10.根据权利要求6～9中任一项所述的导电膜形成用组合物，其中，所述扁平状金属颗粒和所述小径金属颗粒为铜颗粒。
11.一种导电膜的制造方法，其使用根据权利要求1～10任一项所述的导电膜形成用组合物，
所述制造方法具有：在基材上涂布所述导电膜形成用组合物而形成涂膜，然后对该涂膜照射光进行焙烧，从而得到导电膜的工序。
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