[发明专利]激光处理装置和半导体器件制造方法在审

专利信息
申请号: 201980016879.X 申请日: 2019-03-25
公开(公告)号: CN111819661A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 铃木祐辉;山口芳広;藤贵洋;三上贵弘 申请(专利权)人: 株式会社日本制钢所
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/677;H01L21/683;H01L29/786
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 日本国东京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激光 处理 装置 半导体器件 制造 方法
【说明书】:

根据一实施方式的激光处理装置(1)包括激光照射单元(20)和能够使基板(31)漂浮和运送的运送台(40)。运送台(40)包括:激光照射区域(50),在该区域中,从激光照射单元(20)照射的激光(21)将基板(31)照射;基板运送区域(60),其与激光照射区域(50)分开;其中,所述激光照射区域(50)的面对所述基板(31)的表面由第一部件构成,第一气体能够从所述第一部件喷出而使所述基板(31)漂浮;所述基板运送区域(60)的面对所述基板(31)的表面由多个第二部件构成,第二气体能够从所述第二部件喷出而使所述基板(31)漂浮;所述基板运送区域(60)中的所述多个第二部件彼此分开布置。

技术领域

本发明涉及一种激光处理装置和半导体器件制造方法,例如,涉及一种通过激光照射来制造半导体器件的半导体器件制造方法和激光处理装置。

背景技术

在诸如智能电话和电视之类的高清面板的制造过程中,已知通过激光照射进行热处理以形成对面板的像素进行控制的TFT(薄膜晶体管)。专利文献1和2公开了激光处理装置,该激光处理装置用激光照射包括在玻璃基板上形成的非晶膜的工件以进行退火处理。在专利文献1和2中公开的激光处理装置中,在工件通过喷射的空气进行漂浮的漂浮台上执行退火处理。

现有技术文献列表

专利文献

专利文献1:公开号为WO 2015/174347的国际专利申请

专利文献2:公开号为2016-162856的日本未审查专利申请

发明内容

本发明解决的技术问题

激光处理装置在改进激光处理性能方面具有改进的空间。例如,由于在运送要进行激光处理的基板时发生的故障,激光处理的性能变差。

根据本说明书的描述以及附图,其他问题和新颖特征将变得容易理解。

解决问题的技术手段

根据实施方式的激光处理装置包括激光照射单元和能够使基板漂浮并运送的运送台。运送台包括:激光照射区域,在这个激光照射区域中,从激光照射单元照射的激光照射到基板上;以及与激光照射区域分开的基板运送区域,激光照射区域的面对基板的表面由能够喷出第一气体以使基板漂浮的第一部件构成,基板运送区域的面对基板的表面由多个能够喷出第二气体以使基板漂浮的第二构部件成,并且在基板运送区域中的多个第二部件彼此分开地布置。

本发明有益效果

根据上述实施方式,可提供一种能够改进激光处理性能的激光处理装置和半导体器件制造方法。

附图说明

图1为第一实施方式激光处理装置的示例性剖视图。

图2为第一实施方式激光处理装置的运送台的示例性平面图。

图3为第一实施方式的用于形成激光处理装置的激光照射区域的部件的示例性剖视图。

图4为第一实施方式的形成激光处理装置的激光照射区域的部件的示例性平面图;

图5为第一实施方式的形成激光处理装置的基板运送区域的部件的示例性剖视图。

图6为第一实施方式激光处理装置出现问题的示例性剖视图。

图7为第一实施方式激光处理装置出现问题的示例性平面图。

图8为第二实施方式激光处理装置的运送台的示例性剖视图。

图9为第二实施方式激光处理装置的运送台的示例性平面图。

图10为第二实施方式激光处理装置出现问题的示例性剖视图。

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