[发明专利]激光处理装置和半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种激光处理装置，其特征在于，包括：

激光照射单元；和

运送台，能够允许基板漂浮并运送；

其中，所述运送台包括：

激光照射区域，在该激光照射区域中，从所述激光照射单元照射的激光对所述基板进行照射；和

基板运送区域，与所述激光照射区域分开；

其中，所述激光照射区域的面对所述基板的表面由第一部件构成，第一气体能够从所述第一部件喷出而使所述基板漂浮；

所述基板运送区域的面对所述基板的表面由多个第二部件构成，第二气体能够从所述第二部件喷出而使所述基板漂浮；

所述基板运送区域中的所述多个第二部件彼此分开布置。

2.根据权利要求1所述的激光处理装置，其特征在于，

所述第一部件包括：

第一区域；

与所述第一区域相邻的第二区域；和

与所述第二区域相邻的第三区域；

俯视视角下，所述第三区域与所述激光的焦点重叠，

所述基板在所述第二区域中的漂浮高度的控制精度高于所述基板在所述第一区域中的漂浮高度的控制精度，并且

所述基板在所述第三区域中的漂浮高度的控制精度高于所述基板在所述第二区域中的所述漂浮高度的所述控制精度。

3.根据权利要求2所述的激光处理装置，其特征在于，

所述第一部件在所述第一区域连接第一排气管，在所述第二区域连接第二排气管，以及在所述第三区域连接第三排气管；

所述第一气体通过所述第一排气管、所述第二排气管和所述第三排气管供应到所述第一部件；

所述第一气体从所述第一部件喷射到所述基板，并且

分别通过所述第一排气管、所述第二排气管和所述第三排气管的所述第一气体的流速或压力能够被独立控制。

4.根据权利要求2所述的激光处理装置，其特征在于，

所述第一部件在所述第一区域连接第一进气管，在所述第二区域连接第二进气管，以及在所述第三区域连接第三进气管；

所述第一气体通过所述第一进气管、所述第二进气管和所述第三进气管被吸入；

分别通过所述第一进气管、所述第二进气管和所述第三进气管的所述第一气体的流速或压力能够被独立控制。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，

所述基板离开所述第一区域中所述第一部件的表面的漂浮高度大于所述基板离开所述第二区域中所述第一部件的表面的漂浮高度，以及

所述基板离开所述第二区域中所述第一部件的所述表面的所述漂浮高度大于所述基板离开所述第三区域中所述第一部件的表面的漂浮高度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，

所述第一部件是多孔体，并且

所述第一气体能够从所述多孔体中喷出。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述第一部件为陶瓷。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述多个第二部件中的每个都具有能够喷出所述第二气体的多个通孔。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述多个第二部件由金属制成。

10.根据权利要求9所述的激光处理装置，其特征在于，所述多个第二部件以铝为主要成分。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，所述基板为玻璃基板。

12.根据权利要求1至12中任一项所述的激光处理装置，其特征在于，

所述衬底上方形成有非晶半导体膜，并且

通过激光照射，所述非晶半导体膜转变成多晶半导体膜。