[发明专利]用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统有效
申请号: | 201980016464.2 | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN111837227B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 钟景山;B·布拉尔;高理升 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 晶片 检测 缺陷 位于 上面 系统 | ||
1.一种经配置以用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统,其包括:
检验子系统,其至少包括照射子系统及检测子系统,其中所述照射子系统经配置而以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片,且其中所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生输出;及
一或多个计算机子系统,其经配置以用于:
通过将缺陷检测方法应用于通过以所述第一入射角及所述第二入射角将所述光引导到所述晶片而产生的所述输出来检测所述晶片上的缺陷;
基于与所述缺陷对应的所述输出而确定所述缺陷在所述晶片上的位置;
对于在针对在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片的情况下照射于所述晶片上的一个光点而产生的所述输出中所检测到的所述缺陷中的一者,将基于在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片上的所述一个光点的情况下产生的所述输出而确定的所述缺陷中的所述一者的所述位置进行比较;且
基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以用于基于针对所述缺陷中的所述一者确定的所述层而确定所述缺陷中的所述一者是否为扰乱缺陷。
3.根据权利要求1所述的系统,其中确定所述层包括:如果所述比较的所述结果指示所述缺陷中的所述一者的所述位置是相同的,那么确定所述层是当前层;及如果所述比较的所述结果指示所述缺陷中的所述一者的所述位置是不同的,那么确定所述层是先前层。
4.根据权利要求3所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以用于进行如下操作:如果所述层被确定为所述先前层,那么确定所述缺陷中的所述一者是扰乱缺陷。
5.根据权利要求1所述的系统,其中确定所述位置包括在所述输出内对所述缺陷的所述位置进行内插。
6.根据权利要求1所述的系统,其中确定所述位置包括在所述输出内对所述缺陷的所述位置进行内插且将所述输出与所述晶片的设计信息对准。
7.根据权利要求1所述的系统,其中由于所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片而由所述检测子系统所检测到的所述光包括经镜面反射光。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一入射角包括法向入射角,且其中所述第二入射角包括倾斜入射角。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一入射角及所述第二入射角包括不同的倾斜入射角。
10.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一入射角及所述第二入射角包括不同的极角及相同的一或多个方位角。
11.根据权利要求1所述的系统,其中以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片的所述光的入射平面是相对于所述晶片上的经图案化特征以介于0度与180度之间的角度而定向。
12.根据权利要求1所述的系统,其中所述照射子系统进一步经配置以在所述晶片的第一扫描中以所述第一入射角将所述光引导到所述晶片且在所述晶片的第二扫描中以所述第二入射角将所述光引导到所述晶片。
13.根据权利要求12所述的系统,其中所述晶片的所述第二扫描包括仅在使用在所述第一扫描中产生的所述输出所检测到的所述缺陷的所述位置处响应于所述所检测到的光而产生所述输出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造