[发明专利]杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 201980015220.2 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN111771258A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 北田刚;弓场智之 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225;H01L21/22;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 马妮楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 杂质 扩散 组合 使用 半导体 元件 制造 方法 太阳能电池 | ||
本发明的目的是提供涂布液的保存稳定性优异,能够提高丝网印刷时的连续印刷性、和向半导体基板均匀扩散的杂质扩散组合物。为了达到上述目的,本发明的杂质扩散组合物含有:(A)侧链包含选自下述通式(1)和通式(2)中的至少1个结构的聚合物(以下,称为(A)聚合物);以及(B)杂质扩散成分。(在通式(1)和通式(2)中,R1~R14各自独立地表示氢原子、或碳原子数1~8的有机基。a1表示整数1~4,a2和a3各自独立地表示整数0~2。a2+a3表示整数0~3。*表示与聚合物的结合部分。)
技术领域
本发明涉及在半导体基板中用于使杂质扩散的杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法以及太阳能电池的制造方法。
背景技术
现在,在太阳能电池的制造中,在半导体基板中形成p型或n型的杂质扩散层的情况下,采用在基板上形成扩散源通过热扩散而在半导体基板中使杂质扩散的方法。在扩散源形成中,研究了CVD法、液状的杂质扩散组合物的溶液涂布法,但其中溶液涂布法不需要昂贵的设备,量产性也优异,因此适合使用。在通过溶液涂布法形成p型杂质扩散层的情况下,通常,将含有硼化合物、和聚乙烯醇等含有羟基的高分子化合物的涂布液,使用旋转涂布法、丝网印刷法而涂布于半导体基板表面,进行热扩散(例如,参照专利文献1)。
然而,专利文献1所记载的含有硼的扩散组合物由于用含有羟基的高分子化合物的羟基使硼化合物稳定化,因此为了以高浓度含有硼化合物,需要使用包含大量羟基的粘合剂树脂。那样的含有羟基的高分子化合物由于在有机溶剂中的溶解性差,因此需要使组合物中含有大量水,但水易于含有金属杂质,使太阳能电池的性能降低。此外由于包含大量水,因而具有组成中的其它有机化合物的溶解性降低而溶液的保存稳定性降低,或难以进行丝网印刷时的连续印刷这样的课题。因此,提出了作为聚乙烯醇等含有羟基的高分子化合物的替代而添加了多元醇的涂布液(例如,参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平9-181010号公报
专利文献2:日本特开2013-77804号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,专利文献2所记载那样的添加了多元醇的涂布液具有杂质的扩散均匀性差这样的课题。
本发明是鉴于上述那样的情况而提出的,其目的是提供涂布液的保存稳定性优异,能够提高丝网印刷时的连续印刷性、和向半导体基板均匀扩散的杂质扩散组合物。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题,本发明的杂质扩散组合物具有以下构成。即,本发明的杂质扩散组合物含有:(A)侧链包含选自下述通式(1)和通式(2)中的至少1个结构的聚合物(以下,称为(A)聚合物);以及(B)杂质扩散成分。
在通式(1)和通式(2)中,R1~R14各自独立地表示氢原子、或碳原子数1~8的有机基。a1表示整数1~4,a2和a3各自独立地表示整数0~2。a2+a3表示整数0~3。*表示与聚合物的结合部分。
发明的效果
根据本发明,可以提供保存稳定性优异,能够提高丝网印刷时的连续印刷性、和向半导体基板均匀扩散的杂质扩散组合物。
附图说明
图1为显示本发明的第1实施方式涉及的半导体元件的制造方法的工序截面图。
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