[发明专利]杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种杂质扩散组合物，其含有：

(A)聚合物，所述聚合物在侧链包含选自下述通式(1)和通式(2)中的至少1个结构；以及

(B)杂质扩散成分，

在通式(1)和通式(2)中，R¹～R¹⁴各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～8的有机基；a₁表示整数1～4，a₂和a₃各自独立地表示整数0～2；a₂+a₃表示整数0～3；*表示与聚合物结合的部分。

2.根据权利要求1所述的杂质扩散组合物，所述(A)聚合物为由硅氧烷或丙烯酸系化合物形成的聚合物。

3.根据权利要求1所述的杂质扩散组合物，所述(A)聚合物为由硅氧烷形成的聚合物，所述硅氧烷包含至少1种下述通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构、和至少1种下述通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构，

R¹⁵表示碳原子数1～8的亚烷基；R¹⁶表示羟基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～6的酰氧基中的任一者；R¹⁷和R¹⁸表示羟基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～6的酰基、碳原子数6～15的芳基中的任一者；X表示选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构；此外，所述硅氧烷结构中的通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构所占的比例为5摩尔％以上且小于100摩尔％。

4.根据权利要求3所述的杂质扩散组合物，所述(A)聚合物由下述通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构、和下述通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构形成，R¹⁷为碳原子数6～15的芳基，通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构所占的比例为5～95摩尔％。

5.根据权利要求1所述的杂质扩散组合物，所述(A)聚合物为由丙烯酸系化合物形成的聚合物，所述丙烯酸系化合物包含下述通式(7)所示的部分结构、和下述通式(8)所示的部分结构，

R¹⁹和R²¹各自独立地表示氢原子、卤素、碳原子数1～4的烷基或碳原子数1～4的氟烷基中的任一者；R²⁰表示碳原子数1～8的亚烷基；R²²表示碳原子数1～4的烷基；X表示选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构；a₄和a₅表示整数0或1，a₄和a₅中的至少一者为1；此外，由所述丙烯酸系化合物形成的聚合物中的通式(7)所示的部分结构所占的比例为5摩尔％以上且小于100摩尔％。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的杂质扩散组合物，(B)杂质扩散成分为硼化合物。

7.一种半导体元件的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上涂布权利要求1～6中任一项所述的杂质扩散组合物而形成杂质扩散组合物膜的工序；以及使杂质从所述杂质扩散组合物膜扩散而在半导体基板上形成杂质扩散层的工序。

8.一种半导体元件的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上涂布n型杂质扩散组合物而形成n型杂质扩散组合物膜的工序；在所述工序后，将作为p型杂质扩散组合物的权利要求6所述的杂质扩散组合物涂布于所述半导体基板而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；以及通过将该半导体基板进行加热，从而在该半导体基板上同时形成n型杂质扩散层和p型杂质扩散层的工序。