[发明专利]投影掩模及激光照射装置

说明书

本发明提供一种能够有效地反射激光并抑制激光的能量的吸收，从而提高耐久性的投影掩模。本发明的投影掩模配置在被照射激光的投影透镜，并使激光透过，具备：透过层，其供激光透过；反射膜，其折射率比透过层大；金属膜，其对激光进行遮光；以及保护膜，其保护金属膜，透过层、反射膜、金属膜、以及保护膜从相互的层叠方向中的、被照射激光的一侧朝向相反侧依次配置。

技术领域

本发明涉及投影掩模及激光照射装置。

背景技术

以往，如专利文献1所示，已知有用于激光退火并通过激光将掩模图案缩小投影到基板面上的投影掩模。

在这样的激光退火中，例如通过用激光瞬间加热非晶硅薄膜等基板中的规定的区域，能够使其多晶体化从而形成多晶硅薄膜。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-197679号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，在以往的投影掩模中，由于对掩模图案的遮光部分照射高能量的激光，吸收到的能量变为热量，遮光部分有可能氧化或熔融。

本发明的目的在于，提供一种能够有效地反射激光并抑制激光的能量的吸收，从而提高耐久性的投影掩模。

用于解决技术问题的手段

为了解决上述技术课题，本发明的投影掩模配置在被照射激光的投影透镜，并使所述激光透过，所述投影掩模具备：透过层，其供所述激光透过；反射膜，其折射率比所述透过层大；金属膜，其对所述激光进行遮光；以及保护膜，其保护所述金属膜，所述透过层、所述反射膜、所述金属膜、以及所述保护膜从相互的层叠方向中的、被照射所述激光的一侧朝向相反侧依次配置。

为了解决上述技术课题，本发明的激光照射装置具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向附着于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光，在所述投影透镜配置有上述投影掩模。

发明效果

根据本发明，具备：反射膜，其折射率比透过层大；以及金属膜，其对激光进行遮光且配置在沿层叠方向夹着反射膜的透过层的相反侧。因此，能够在反射膜和金属膜的交界部分有效地反射激光，能够抑制金属膜吸收激光。由此，能够有效地反射激光并抑制激光的能量的吸收，从而提高投影掩模的耐久性。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式涉及的激光照射装置的立体图。

图2是现有例涉及的投影掩模的剖视示意图。

图3是现有例涉及的投影掩模中的激光的照射时间和温度的关系的图。

图4是本发明的一个实施方式涉及的投影掩模的剖视示意图。

图5是说明验证试验中的反射率之差的图。

图6是说明验证试验中的透射率之差的图。

具体实施方式

以下，参照附图具体说明本发明的实施方式。

激光照射装置10是用于在薄膜晶体管(TFT)这样的半导体装置的制造工序中，例如对沟道区域形成预定区域照射激光并进行退火处理，使该沟道区域形成预定区域多晶体化的装置。激光照射装置10具备产生激光的光源(未图示)和投影透镜20。

激光照射装置10例如在形成液晶显示装置的周边电路等像素的薄膜晶体管时利用。在形成这样的薄膜晶体管的情况下，首先，在基板上通过溅射而图案形成由Al等的金属膜构成的栅电极。

然后，通过低温等离子体CVD法，在基板上的整个面形成由SiN膜构成的栅极绝缘膜。