[发明专利]受引导的图案化装置的检查

说明书

本文中描述了一种用于图案化装置的检查的方法。该方法包括：获取(i)图案化装置制造工艺的图案化装置设备数据，(ii)基于图案化装置设备数据的图案化装置衬底图，以及(iii)基于图案化装置衬底图的、经预测的与图案化装置相对应的工艺窗口限制的图案位置；以及由硬件计算机系统基于工艺窗口限制的图案位置将图案化装置检查设备引导到工艺窗口限制的图案位置以进行缺陷检查。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月23日提交的美国申请62/634,607的优先权，其内容通过整体引用合并于此。

技术领域

本公开涉及改善器件制造工艺的性能的技术。该技术可以与光刻设备或量测设备结合使用。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案化装置(其也被称为掩模或掩模版)可以被用于生成与IC的单个层相对应的电路图案，并且该图案可以被成像到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)的目标部分(例如，包括一个或几个裸片的一部分)上。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器，和所谓的扫描器，在该步进器中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分，在该扫描器中通过在给定方向(“扫描”方向)上利用光束对图案进行扫描、同时与该方向平行或反平行地同步扫描衬底，来辐照每个目标部分。

在将电路图案从图案化装置转印到衬底之前，衬底可以经历各种过程，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后，可以对衬底进行其他过程，诸如对所转印的电路图案进行后曝光烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和测量/检查。这一系列过程被用作制造器件(例如，IC)的单个层的基础。然后，衬底可以经历各种工艺，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些工艺都旨在完成器件的单个层。如果器件中需要几层，则对每一层重复整个过程或该整个过程的变型。最终，器件将呈现在衬底上的每个目标部分中。然后，通过诸如切割或锯切等技术将这些器件彼此分离，从而可以将单个器件安装在载体上、连接到引脚，等等。

因此，制造诸如半导体器件等类似的器件通常涉及使用众多制造工艺来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。这种层和特征通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个裸片上制造多个器件，并且然后将其分离成单个器件。该器件制造工艺可以被认为是图案化工艺。图案化工艺涉及用于将图案化装置上的图案转印到衬底上的图案化步骤，诸如使用光刻设备中的图案化装置进行光学和/或纳米压印光刻，并且通常但可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具对衬底进行烘焙，利用蚀刻设备使用图案进行蚀刻，等等。

发明内容

根据实施例，提供一种用于图案化装置的检查的方法。该方法包括：获取(i)图案化装置制造工艺的图案化装置设备数据；(ii)基于图案化装置设备数据的图案化装置衬底图；以及(iii)基于图案化装置衬底图的、经预测的与图案化装置相对应的工艺窗口限制的图案位置；以及由硬件计算机系统基于工艺窗口限制的图案位置，将图案化装置检查设备引导到工艺窗口限制的图案位置以进行缺陷检查。

在实施例中，图案化装置设备数据包括衬底高度图、光束方向、强度和/或焦距。

在实施例中，图案化装置衬底图通过建模和/或模拟来标识光束方向、高度图、强度和/或焦距对图案化装置图案的贡献。

在实施例中，经预测的工艺窗口限制的图案位置是通过对图案化装置衬底图的图案保真度分析进行模拟和/或建模来确定的。

在实施例中，图案保真度分析包括标识图案化装置内的、具有与图案化装置图案有关的相对较高的边缘位置误差的位置。