[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置包含：多个第1信号输出电路，其具有第1晶体管(MN101、MN105)和第2晶体管(MN102、MN106)，输出两个晶体管的连接点的电压，该第1晶体管和该第2晶体管串联连接在提供电源电压的信号线与提供基准电压的信号线之间，并且各自的栅极被提供规定的电压；以及多个第2信号输出电路，其具有第3晶体管(MN103、MN107)和第4晶体管(MN104、MN108)，输出两个晶体管的连接点的电压，该第3晶体管和该第4晶体管串联连接在提供电源电压的信号线与提供基准电压的信号线之间，并且各自的栅极被提供规定的电压，第3晶体管与第1晶体管布局相同但特性不同，第4晶体管与第2晶体管布局相同但特性不同。

技术领域

本发明涉及半导体装置，详细而言涉及使半导体装置免于逆向工程的保护技术。

背景技术

近年来，半导体装置的不当的逆向工程日益增加。作为逆向工程的方法，不仅是从安装有半导体装置的芯片表面进行光学分析，也使用以下这样的技术：将布线层一层层地剥离并拍摄，将所取得的图像叠加，用软件工具来提取布线信息以再现电路图。

提出有用于防止逆向工程的各种方法(例如，参照专利文献1～9)。为了防止逆向工程，提出有以下这样的方法：例如通过对布线层下功夫、或者利用比布线层靠下层的扩散层或体(bulk)来改变晶体管的特性或连接信息，使得仅通过读取布线层的话无法再现功能。另外，例如，在专利文献1中提出了以下这样的技术：将栅极设为浮置状态地使用晶体管，利用由晶体管的特性偏差所引起的输出电压之差而生成信号，由此使得很难通过逆向工程来再现半导体装置。

但是，在上述专利文献1所记载的技术中，存在以下问题。由于栅极处于浮置状态，因此会从电源电压向接地端流动无用的消耗电流，并且如果因串扰等而导致噪声进入，则会引起电压变动，导致动作或消耗电流不稳定。另外，由多个晶体管产生的输出电压不是被二值化的电压，而是连续的模拟量，因此对接收该输出电压的比较器要求高精度的模拟特性，消耗电流和尺寸变大。由于这样的消耗电流和尺寸的制约，对在一个芯片上能够搭载的个数产生制约。另外，在防止逆向工程的其他方法中，存在以下问题：需要特殊的工艺，工艺开发期间和成本增加。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第9437555号说明书

专利文献2：日本特开平6-163539号公报

专利文献3：日本特开平9-92727号公报

专利文献4：美国专利第6117762号说明书

专利文献5：美国专利第6979606号说明书

专利文献6：美国专利第7128271号说明书

专利文献7：美国专利第9337156号说明书

专利文献8：日本特表2004-518273号公报

专利文献9：日本特开2014-135386号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供以下这样的半导体装置：使得很难通过逆向工程来再现半导体装置。

用于解决课题的手段