[发明专利]半导体密封用树脂组合物、半导体装置和半导体密封用树脂组合物的制造方法有效
| 申请号： | 201980011766.0 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN111684588B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 小谷贵浩;柴田洋志 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;C08K3/013;C08K3/04;C08L63/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 密封 树脂 组合 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体密封用树脂组合物的制造方法，其特征在于，包括：
将炭黑和无机填充材料混合而获得混合物，对所述混合物进行喷磨粉碎，从而将所述炭黑粉碎，获得炭黑微粒的工序；和
将环氧树脂、固化剂、无机填充材料和所述炭黑微粒混合，获得半导体密封用树脂组合物的工序，
所述混合物中的所述炭黑的凝聚物的体积基准粒度分布的累计频率成为50％的粒径D50为6μm以上500μm以下，
当将所述D50设为A、并将所述混合物中的所述无机填充材料的体积基准粒度分布的累计频率成为50％的粒径D50设为B时，A/B为0.1以上200以下。
2.根据权利要求1所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其特征在于，
相对于所述炭黑100质量份，所述混合物中的所述无机填充材料的含量为5质量份以上2000质量份以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其特征在于，
所述混合物中的所述无机填充材料为选自无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物和无机氢氧化物中的1种以上。
4.根据权利要求1或2所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其特征在于，
所述混合物中的所述无机填充材料的莫氏硬度为2以上10以下。
5.根据权利要求1或2所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其特征在于，
所述混合物中的所述无机填充材料为选自二氧化硅、氧化铝和氢氧化铝中的1种以上。
6.根据权利要求1或2所述的半导体密封用树脂组合物的制造方法，其特征在于，
所述炭黑微粒的凝聚物的体积基准粒度分布的累计频率成为50％的粒径D50为0.01μm以上25μm以下。
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