[发明专利]固体摄像器件和摄像装置有效

专利信息
申请号: 201980010831.8 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN111656769B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 丸山俊介;稲田喜昭 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N25/46 分类号: H04N25/46;H01L27/146;H04N25/70;H04N25/76;H04N25/779
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 瓮芳;陈桂香
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 器件 装置
【说明书】:

固体摄像器件包括:光电转换膜,其被设置成跨越多个像素;第一电极,其被电气连接到所述光电转换膜,并且是针对每个所述像素设置的;第二电极,其与所述第一电极相对,并且所述光电转换膜被插入在所述第二电极和所述第一电极之间;第一电荷累积部,其累积在所述光电转换膜中生成的且经由所述第一电极移动的信号电荷;复位晶体管,其是针对每个所述像素设置的,并且将复位电位施加到所述第一电荷累积部;以及电位生成部,在所述第一电荷累积部中累积所述信号电荷的时段期间,所述电位生成器将电位VPD施加到所述多个像素之中的至少一部分像素的所述第一电极,当将所述电位VPD施加到所述第一电极时的所述第一电极和所述第二电极之间的电位差小于当将所述复位电位施加到所述第一电极时的所述第一电极和所述第二电极之间的电位差。

技术领域

本技术涉及一种具有被设置成跨越多个像素的光电转换膜的固体摄像器件和摄像装置。

背景技术

例如,人们已经开发出一种使用诸如InGaAs等的化合物半导体作为光电转换膜的固体摄像器件(例如,参见专利文献1)。在光电转换膜中生成的信号电荷被发送到每个像素的像素电路。

引用列表

专利文献

专利文献1:国际公开第2017/150167号

发明内容

在这种固体摄像器件中,期望能够将多个像素的信号电荷相加。

因此,期望提供一种能够将多个像素的信号电荷相加的固体摄像器件和摄像装置。

根据本发明的实施例的固体摄像器件包括:光电转换膜,其被设置成跨越多个像素;第一电极,其被电气连接到所述光电转换膜,并且是针对每个所述像素设置的;第二电极,其与所述第一电极相对,并且所述光电转换膜被插入在所述第二电极和所述第一电极之间;第一电荷累积部,其累积在所述光电转换膜中生成的且经由所述第一电极移动的信号电荷;复位晶体管,其是针对每个所述像素设置的,并且将复位电位施加到所述第一电荷累积部;以及电位生成器,在所述第一电荷累积部中累积所述信号电荷的时段期间,所述电位生成器将电位VPD施加到所述多个像素之中的至少一部分像素的所述第一电极,当将所述电位VPD施加到所述第一电极时的所述第一电极和所述第二电极之间的电位差小于当将所述复位电位施加到所述第一电极时的所述第一电极和所述第二电极之间的电位差。

根据本发明的实施例的摄像装置包括根据本发明的实施例所述的固体摄像器件。

根据本发明的实施例的固体摄像器件和摄像装置分别设置有电位生成器,因此,在第一电荷累积部中累积信号电荷的时段期间,将电位VPD施加到多个像素之中的至少一个或多个像素(非读出像素)的第一电极。在至少一个或多个非读出像素中生成的信号电荷移动到未被施加电位VPD的像素(读出像素)的第一电极。

根据本发明的实施例的固体摄像器件和摄像装置,设置有电位生成器,因此,在至少一个或多个非读出像素中生成的信号电荷与在读出像素中生成的信号电荷一起由读出像素的像素电路读出。需要注意,上述效果不一定是限制性的。与上述效果一起或代替上述效果,可以实现本说明书中描述的任一效果或可以从本说明书中理解的其他效果。

附图说明

图1是图示了根据本发明的第一实施例的摄像器件的示意性构造的框图。

图2是图1中所示的像素区域的具体构造的示例的平面示意图。

图3是与图2中所示的读出像素和非读出像素连接的控制线的示例的平面示意图。

图4是示意性地图示了图2中所示的读出像素和非读出像素的各个光电转换器的构造以及图2中所示的读出像素和非读出像素的各个像素电路的构造的图。

图5是用于说明图4中所示的读出像素和非读出像素的各个操作的示意图。

图6是用于说明图4中所示的像素电路的驱动方法的时序图。

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