[发明专利]固体摄像器件和摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像器件，其包括：

光电转换膜，所述光电转换膜被设置成跨越多个像素；

第一电极，所述第一电极被电气连接到所述光电转换膜，并且所述第一电极是针对每个所述像素设置的；

第二电极，所述第二电极与所述第一电极相对，并且所述光电转换膜被插入在所述第二电极和所述第一电极之间；

第一电荷累积部，所述第一电荷累积部累积在所述光电转换膜中生成的且经由所述第一电极移动的信号电荷；

复位晶体管，所述复位晶体管是针对每个所述像素设置的，并且所述复位晶体管将复位电位施加到所述第一电荷累积部；以及

电位生成器，在所述第一电荷累积部中累积所述信号电荷的时段期间，所述电位生成器将电位VPD施加到所述多个像素之中的至少一部分像素的所述第一电极，当将所述电位VPD施加到所述第一电极时的所述第一电极和所述第二电极之间的电位差小于当将所述复位电位施加到所述第一电极时的所述第一电极和所述第二电极之间的电位差，

其中，在所述第一电极被施加所述电位VPD的所述像素的所述光电转换膜中生成的所述信号电荷移动到除所述第一电极被施加所述电位VPD的所述像素以外的像素的所述第一电荷累积部。

2.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述电位生成器经由所述复位晶体管被连接到所述第一电极。

3.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述电位生成器包括第一晶体管。

4.根据权利要求3所述的固体摄像器件，其中，所述第一晶体管被连接到所述电位VPD，并且所述第一晶体管在所述第一电极和所述复位晶体管之间与所述复位晶体管并联连接。

5.根据权利要求4所述的固体摄像器件，其中，所述第一晶体管被构造成在所述时段期间变为导通状态。

6.根据权利要求3所述的固体摄像器件，其中，所述第一晶体管在所述第一电极和所述第一电荷累积部之间与所述第一电荷累积部串联连接。

7.根据权利要求6所述的固体摄像器件，其中，所述第一晶体管被构造成在所述时段期间变为截止状态。

8.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述电位生成器包括第二电荷累积部和第二晶体管，所述第二电荷累积部是针对每个所述像素设置的并且位于所述第一电极和所述第一电荷累积部之间，所述第二晶体管被设置在所述第二电荷累积部和所述第一电荷累积部之间。

9.根据权利要求8所述的固体摄像器件，其中，所述第二晶体管被构造成在所述时段期间变为截止状态。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的固体摄像器件，其还包括：

控制线，所述控制线选择所述第一电极被施加所述电位VPD的所述像素。

11.根据权利要求10所述的固体摄像器件，其中，

所述多个像素沿着第一方向并且沿着与所述第一方向相交的第二方向被布置，并且

所述控制线沿着所述第一方向和所述第二方向中的至少一者被设置。

12.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其还包括：

第三晶体管，所述第三晶体管用于切换电容，并且被连接到除所述第一电极被施加所述电位VPD的所述像素以外的像素的所述第一电荷累积部；以及

附加电容元件，所述附加电容元件被连接到所述第三晶体管。

13.根据权利要求1至9和12中任一项所述的固体摄像器件，其中，所述光电转换膜包括化合物半导体、有机半导体或量子点。

14.一种摄像装置，其包括如权利要求1至13中任一项所述的固体摄像器件。