[发明专利]熔融球状二氧化硅粉末及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201980009517.8 申请日: 2019-02-13
公开(公告)号: CN111629998B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 浦川孝雄;永野尊凡;柏木政斗;梶山俊重 申请(专利权)人: 株式会社德山
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本山口*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 熔融 球状 二氧化硅 粉末 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种熔融球状二氧化硅粉末,其特征在于,

在通过激光衍射进行测定时,累积体积95%粒径d95在5μm~14.9μm的范围,

将该熔融球状二氧化硅粉末与环氧树脂按质量比1∶1进行混炼,对固化后的固化体的一部分进行研磨,在对露出的二氧化硅截面以1000倍进行显微镜观察时能检测到的最长径5μm以上的气泡的数量是每10cm2所述固化体研磨面为50个以下。

2.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,

粒子表面经硅烷化合物处理。

3.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,

BET比表面积在1.0m2/g~5.0m2/g的范围。

4.根据权利要求2所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,

BET比表面积在1.0m2/g~5.0m2/g的范围。

5.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,

所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。

6.根据权利要求2所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,

所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。

7.根据权利要求3所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,

所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。

8.一种权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末的制造方法,其特征在于,

使用多层管燃烧器,将按照利用甲醇滴定法得到的疏水化度为25体积%以上的方式疏水化处理的气相二氧化硅,以所述气相二氧化硅的比例成为0.3kg/Nm3~3kg/Nm3的方式,伴随氧气或含氧气体从所述多层管燃烧器的中心管供给,

在火焰内于1400℃~1700℃使其熔融、球状化后,

使用旋风分离器回收平均粒径0.01μm~1000μm的粒子,接着,使用筛和/或风力分级机在分级点8μm~100μm进行分级,回收其细粒侧,

所述疏水化度为M值。

9.一种权利要求3所述的熔融球状二氧化硅粉末的制造方法,其特征在于,

使用多层管燃烧器,将按照利用甲醇滴定法得到的疏水化度为25体积%以上的方式疏水化处理的气相二氧化硅,以所述气相二氧化硅的比例成为0.3kg/Nm3~3kg/Nm3的方式,伴随氧气或含氧气体从所述多层管燃烧器的中心管供给,

在火焰内于1400℃~1700℃使其熔融、球状化后,

使用旋风分离器回收平均粒径0.01μm~1000μm的粒子,接着,使用筛和/或风力分级机在分级点8μm~100μm进行分级,回收其细粒侧,

所述疏水化度为M值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社德山,未经株式会社德山许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980009517.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top