[发明专利]熔融球状二氧化硅粉末及其制造方法有效
| 申请号: | 201980009517.8 | 申请日: | 2019-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN111629998B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
| 发明(设计)人: | 浦川孝雄;永野尊凡;柏木政斗;梶山俊重 | 申请(专利权)人: | 株式会社德山 |
| 主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址: | 日本山口*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 熔融 球状 二氧化硅 粉末 及其 制造 方法 | ||
1.一种熔融球状二氧化硅粉末,其特征在于,
在通过激光衍射进行测定时,累积体积95%粒径d95在5μm~14.9μm的范围,
将该熔融球状二氧化硅粉末与环氧树脂按质量比1∶1进行混炼,对固化后的固化体的一部分进行研磨,在对露出的二氧化硅截面以1000倍进行显微镜观察时能检测到的最长径5μm以上的气泡的数量是每10cm2所述固化体研磨面为50个以下。
2.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,
粒子表面经硅烷化合物处理。
3.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,
BET比表面积在1.0m2/g~5.0m2/g的范围。
4.根据权利要求2所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,
BET比表面积在1.0m2/g~5.0m2/g的范围。
5.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,
所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。
6.根据权利要求2所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,
所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。
7.根据权利要求3所述的熔融球状二氧化硅粉末,其中,
所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。
8.一种权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末的制造方法,其特征在于,
使用多层管燃烧器,将按照利用甲醇滴定法得到的疏水化度为25体积%以上的方式疏水化处理的气相二氧化硅,以所述气相二氧化硅的比例成为0.3kg/Nm3~3kg/Nm3的方式,伴随氧气或含氧气体从所述多层管燃烧器的中心管供给,
在火焰内于1400℃~1700℃使其熔融、球状化后,
使用旋风分离器回收平均粒径0.01μm~1000μm的粒子,接着,使用筛和/或风力分级机在分级点8μm~100μm进行分级,回收其细粒侧,
所述疏水化度为M值。
9.一种权利要求3所述的熔融球状二氧化硅粉末的制造方法,其特征在于,
使用多层管燃烧器,将按照利用甲醇滴定法得到的疏水化度为25体积%以上的方式疏水化处理的气相二氧化硅,以所述气相二氧化硅的比例成为0.3kg/Nm3~3kg/Nm3的方式,伴随氧气或含氧气体从所述多层管燃烧器的中心管供给,
在火焰内于1400℃~1700℃使其熔融、球状化后,
使用旋风分离器回收平均粒径0.01μm~1000μm的粒子,接着,使用筛和/或风力分级机在分级点8μm~100μm进行分级,回收其细粒侧,
所述疏水化度为M值。
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