[发明专利]用于设定电路晶体管的宽长比的方法、电路及电路布置

权利要求书

1.一种电路，包括：

第一组晶体管，被配置成接收提供给所述电路的一个或多个输入信号；以及

第二组晶体管，彼此电耦合，其中所述第二组晶体管被配置成提供所述电路的一个或多个输出信号，

其中所述第一组晶体管和所述第二组晶体管彼此电耦合，并且

其中对于所述第一组晶体管和所述第二组晶体管中的每个晶体管，所述晶体管被配置成驱动与所述晶体管相关联的负载，并且其宽长比的尺寸大于为驱动所述负载而优化的晶体管的宽长比。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述宽长比为至少2.5。

3.根据权利要求1或2所述的电路，其中对于所述第一组晶体管和所述第二组晶体管中的每个晶体管，所述宽长比被设计为增加所述电路的线性能量传递阈值。

4.根据权利要求3所述的电路，其中所述电路的所述线性能量传递阈值至少为1MeV·cm²/mg。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电路，其中所述第二组晶体管中的每个晶体管是非堆叠晶体管。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电路，其中所述第一组晶体管或所述第二组晶体管中的至少一个包括：

第一导电类型的第一晶体管；以及

第二导电类型的第二晶体管。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电路，其中所述第一组晶体管包括至少一对堆叠晶体管。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电路，

其中所述第一组晶体管中的晶体管的漏极端子连接到所述第二组晶体管中的晶体管的栅极端子，所述晶体管为第一导电类型，并且

其中所述第一组晶体管中的另一个晶体管的漏极端子连接到所述第二组晶体管中的另一个晶体管的栅极端子，所述另一个晶体管为第二导电类型并且与所述第一导电类型相反。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电路，还包括：

控制子电路，电耦合到所述第一组晶体管和所述第二组晶体管，所述控制子电路被配置成接收提供给所述电路的一个或多个控制信号；

其中所述控制子电路包括一个或多个晶体管，所述一个或多个晶体管被配置成响应于接收到的所述一个或多个控制信号，控制从所述第一组晶体管到所述第二组晶体管的电信号流。

10.一种由于在电路的不同节点处的电离而设定电路的晶体管的宽长比尺寸以增加所述电路的线性能量传递阈值的方法，所述方法包括：

布置所述电路的第一组晶体管以接收提供给所述电路的一个或多个输入信号，所述第一组晶体管包括：

第一晶体管，其宽长比增大以对其输出节点充电以吸收所述输出节点处的所述电离；以及

第二晶体管，其宽长比增大以使其输出节点放电以吸收所述输出节点处的所述电离；

布置所述电路的第二组晶体管以输出所述电路的一个或多个输出信号，所述第二组晶体管包括：

第三晶体管，其宽长比增大以对其输出节点充电以吸收所述输出节点处的所述电离；以及

第四晶体管，其宽长比增大以使其输出节点放电以吸收所述输出节点处的所述电离；以及

布置第三组晶体管，所述第三组晶体管被配置成电耦合到所述第一组晶体管和所述第二组晶体管的控制子电路，其中所述控制子电路被配置成接收一个或多个控制信号。

11.根据权利要求10所述的方法，其中对于所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每一个，通过将所述宽长比增加到至少2.5来增大所述晶体管的所述宽长比。

12.一种电路布置，包括：

彼此电耦合的多个子电路，其中所述多个子电路中的每个子电路是根据权利要求1至9中任一项所述的电路或通过权利要求10或11所述的方法获得的电路。