[发明专利]切割工艺用保护性涂层剂

说明书

本发明涉及一种用于制备半导体的切割工艺用保护性涂层剂，具体涉及一种切割工艺用保护性涂层剂，其可以被涂布在晶圆等的表面上而在制备工艺中保护晶圆的表面。

技术领域

本发明涉及一种用于制备半导体的切割工艺用保护性涂层剂，具体涉及一种切割工艺用保护性涂层剂，其可以被涂布在晶圆等的表面上而在制备工艺中保护晶圆的表面。

背景技术

在半导体晶圆加工工艺中，切割工艺，即锯切工艺，是介于晶圆制备工艺与封装工艺之间且将所述晶圆以各个芯片单元分离的工艺。

其中，在将半导体晶圆的各个芯片用刀片互相分离的工艺中，落到芯片表面的碎片会造成不良。为了解决所述问题，从前使用的方法是将喷嘴沿着刀片的两侧与晶圆的水平方向设置，以高压喷射大量的水而立即去除落到芯片表面的碎片。所述方法在半导体芯片尺寸大，加工时间短，碎片量少时是有用的，然而，在半导体芯片的尺寸的减小、加工时间的增加、碎片产量增加时，无法立即去除碎片。

对此，为了克服所述问题，韩国专利申请第10-2009-0066314号公开了一种用作为非离子表面活性剂的聚环氧乙烷/聚环氧丙烷(Polyethyleneoxide/Polypropyleneoxide，PEO-PPO)、聚乙二醇(Polyethyleneglycol，PEG)以及其他添加剂制备的洗涤剂组合物。

然而，用所述组合物进行锯切工艺时，可以去除一定大小的碎片，但无法完全去除微小的碎片。结果，被残留的微小碎片所引起的刮痕、凿痕等缺陷仍未解决。

因此，仍然存在着对用于切割工艺的保护性涂层剂的需求，其可以在晶圆表面形成涂层而防止在切割工艺和其他加工工艺中发生的刮痕、凿痕、污点、变白或腐蚀等缺陷。

发明内容

技术问题

本发明是斟酌所述内容而提出的，其目的在于提供一种切割工艺用保护性涂层剂，其在半导体制备工艺中加工晶圆等时保护表面并防止因杂质流入等而发生的表面损伤。

问题的解决方案

为了解决所述技术问题，本发明的切割工艺用保护性涂层剂的特征在于，被涂布在晶圆表面上。

作为一实施例，所述保护性涂层剂可以具有2H～5H的铅笔硬度、2B～5B的粘接力以及8～35％的抗磨性。

作为一实施例，所述保护性涂层剂可以包括由下面的化学式10表示的化合物。

[化学式10]