[发明专利]接合系统和接合方法在审
申请号: | 201980008859.8 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN111630627A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 大塚庆崇 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B23K20/00;H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 系统 方法 | ||
1.一种接合系统,具备:
在铅垂方向上分离地配置的第一保持部和第二保持部,所述第一保持部在与所述第二保持部相向的面具有用于吸附保持第一基板的吸附面,所述第二保持部在与所述第一保持部相向的面具有用于吸附保持第二基板的吸附面;
对位部,其通过使所述第一保持部与所述第二保持部相对地移动,来进行被所述第一保持部保持的所述第一基板与被所述第二保持部保持的所述第二基板的水平方向对位;
按压部,其将被所述第一保持部保持的所述第一基板和被所述第二保持部保持的所述第二基板进行压合;
测定部,其测定通过所述按压部进行了接合的所述第一基板的对准标记与所述第二基板的对准标记的位置偏离;以及
对位控制部,其基于在过去的接合中产生的所述位置偏离来控制本次的接合中的所述水平方向对位。
2.根据权利要求1所述的接合系统,其特征在于,还具备:
畸变产生部,其使被所述第二保持部保持的所述第二基板产生畸变;以及
畸变控制部,其基于在过去的接合中产生的所述位置偏离来控制本次的接合中的所述畸变。
3.根据权利要求2所述的接合系统,其特征在于,
所述畸变产生部具有吸附压力分布调节部,所述吸附压力分布调节部通过调节所述第二保持部的吸附所述第二基板的吸附压力的分布来使所述第二基板产生所述畸变。
4.根据权利要求2或3所述的接合系统,其特征在于,
所述畸变产生部具有温度分布调节部,所述温度分布调节部通过调节所述第二基板的温度分布来使所述第二基板产生所述畸变。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的接合系统,其特征在于,
所述畸变产生部具有吸附面变形部,所述吸附面变形部通过使所述第二保持部的用于吸附所述第二基板的吸附面变形,来使预先被所述吸附面吸附的所述第二基板产生所述畸变。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的接合系统,其特征在于,
还具有判定部,所述判定部通过统计分析来判定在过去的接合中产生的所述位置偏离与在本次的接合中产生的所述位置偏离是否存在显著性差异。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的接合系统,其特征在于,还具备:
表面改性装置,其将所述第一基板的与所述第二基板接合的接合面、以及所述第二基板的与所述第一基板接合的接合面进行改性;
表面亲水化装置,其使通过所述表面改性装置被改性后的、所述第一基板的所述接合面和所述第二基板的所述接合面亲水化;
接合装置,其具有所述第一保持部、所述第二保持部、所述对位部以及所述按压部,将通过所述表面亲水化装置被亲水化后的、所述第一基板的所述接合面与所述第二基板的所述接合面以面对的方式进行接合;以及
对准测定装置,其具有所述测定部,测定通过所述接合装置进行了接合的所述第一基板的对准标记与所述第二基板的对准标记的所述位置偏离。
8.一种接合方法,在该接合方法中,
在沿铅垂方向上分离地配置的第一保持部和第二保持部中,通过所述第一保持部的与所述第二保持部相向的吸附面来吸附保持第一基板,并且通过所述第二保持部的与所述第一保持部相向的吸附面来吸附保持第二基板,
通过使所述第一保持部与所述第二保持部相对地移动,来进行被所述第一保持部吸附保持的所述第一基板与被所述第二保持部吸附保持的所述第二基板的水平方向对位,
通过将被所述第一保持部吸附保持的所述第一基板和被所述第二保持部吸附保持的所述第二基板进行压合,来将所述第一基板与所述第二基板进行接合,
测定进行了接合的所述第一基板的对准标记与所述第二基板的对准标记的位置偏离,
基于在过去的接合中产生的所述位置偏离来控制本次的接合中的所述水平方向对位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造