[发明专利]抗蚀剂组合物和抗蚀剂膜

说明书

本发明提供一种抗蚀剂组合物和形成有良好图案的抗蚀剂膜，该抗蚀剂组合物能够提高旋转涂布时的对基材的涂覆性(涂膜性)和抗蚀剂膜的密合性，且能够形成良好的图案。该抗蚀剂组合物包含聚合物、溶剂和芳香族乙烯基单体，上述芳香族乙烯基单体相对于上述聚合物的含量为10质量ppm以上且30000质量ppm以下。

技术领域

本发明涉及抗蚀剂组合物和抗蚀剂膜。

背景技术

一直以来，在半导体制造等领域中，将如下的聚合物用作主链切断型的正型抗蚀剂，即通过电子束、极紫外线(EUV)等电离放射线、紫外线等短波长的光(以下，有时将电离放射线与短波长的光合称为“电离放射线等”)的照射来切断主链、从而对显影液的溶解性增大的聚合物。

而且，作为高敏感度的主链切断型的正型抗蚀剂，例如专利文献1中公开了一种正型抗蚀剂，其包含α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物，该共聚物含有α-甲基苯乙烯单元和α-氯代丙烯酸甲酯单元。

在此，专利文献1没有公开α-氯代丙烯酸甲酯·α-甲基苯乙烯共聚物具体的制造方法。一直以来，在这样的共聚物的具体制造工序中，采用如下的方法：在聚合工序后，使从反应混合物中分离的共聚物溶于有机溶剂，将其滴加到不良溶剂中使其沉淀，重复该方法，由此回收经纯化的共聚物的方法。对于这样的含有α-氯代丙烯酸甲酯·α-甲基苯乙烯共聚物的电子束抗蚀剂组合物而言，有在干法刻蚀处理中会产生杂质、光掩膜容易产生缺陷的问题。

进而，在专利文献1中，包含α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物的正型抗蚀剂有在电离放射线等的照射量少的状态下发生过度地减膜的问题。因此，对于专利文献1中所记载的、包含α-甲基苯乙烯·α-氯代丙烯酸甲酯共聚物的正型抗蚀剂而言，在进一步降低在电离放射线等的照射量低的状态下的减膜率的方面，仍有改善的余地。

为了解决这样的问题，研究了在干法刻蚀处理中不会产生杂质的电子束抗蚀剂组合物，其将α-氯代丙烯酸甲酯·α-甲基苯乙烯共聚物作为树脂成分(例如，参考专利文献2)，此外，还研究了在电离放射线等的照射量少的状态下的减膜率低的正型抗蚀剂(例如，参考专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特公平8-3636号公报；

专利文献2：国际公开第99/62964号；

专利文献3：国际公开第2016/132722号。

发明内容

发明要解决的问题

然而，对于专利文献2和3记载的抗蚀剂组合物而言，在提高旋转涂布时的对基材的涂覆性(涂膜性)和抗蚀剂膜的密合性、并形成良好的图案的方面，仍有改善的余地。

因此，本发明的目的在于提供一种抗蚀剂组合物，其能够提高旋转涂布时的对基材的涂覆性(涂膜性)和抗蚀剂膜的密合性，并形成良好的图案。

此外，本发明目的在于提供形成有良好的图案的抗蚀剂膜。

用于解决问题的方案

本发明人为了实现上述目的进行了深入研究。然后，本发明人发现，如果抗蚀剂组合物包含聚合物、溶剂和芳香族乙烯基单体，上述芳香族乙烯基单体相对于上述聚合物的含量为10质量ppm以上且30000质量ppm以下，则能够提高旋转涂布时的对基材的涂覆性(涂膜性)和抗蚀剂膜的密合性，并形成良好的图案，从而完成了本发明。