[发明专利]溅射靶以及磁性膜有效
| 申请号： | 201980007232.0 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN111566253B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 岩渊靖幸;增田爱美;小庄孝志 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;G11B5/65;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 以及 磁性 | ||
1.一种溅射靶，其是具有金属相和氧化物相的溅射靶，所述溅射靶含有0.001mol％～0.5mol％的Bi、45mol％以下的Cr、45mol％以下的Pt、60mol％以下的Ru、合计1mol％～35mol％的氧化物，剩余部分包含Co和不可避免的杂质，
所述氧化物是选自由Co、Cr、Si、Ti以及B构成的组中的至少一种元素的氧化物。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其含有0.005mol％～0.5mol％的Bi。
3.根据权利要求2所述的溅射靶，其含有0.01mol％～0.5mol％的Bi。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其还含有1mol％～30mol％的选自由Au、Ag、B、Cu、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ta、W以及V构成的组中的至少一种。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其含有合计10体积％～55体积％的所述氧化物。
6.一种磁性膜，其是具有金属相和氧化物相的垂直磁记录方式的磁记录介质用的磁性膜，所述磁性膜含有0.001mol％～0.5mol％的Bi、45mol％以下的Cr、45mol％以下的Pt、60mol％以下的Ru、合计1mol％～35mol％的氧化物，剩余部分包含Co和不可避免的杂质，
所述氧化物是选自由Co、Cr、Si、Ti以及B构成的组中的至少一种元素的氧化物。
7.根据权利要求6所述的磁性膜，其含有0.005mol％～0.5mol％的Bi。
8.根据权利要求7所述的磁性膜，其含有0.01mol％～0.5mol％的Bi。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的磁性膜，其还含有1mol％～30mol％的选自由Au、Ag、B、Cu、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ta、W以及V构成的组中的至少一种。
10.根据权利要求6～8中任一项所述的磁性膜，其含有合计10体积％～55体积％的所述氧化物。
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