[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

结构，具有交替并置在基底的绝缘材料层上的N个栅电极层和(N-1)个沟道形成区域层(其中，N≥3)，在所述基底中所述绝缘材料层形成在导电基板的表面上；

其中，所述结构具有底表面、与所述底表面相对的顶表面、第一侧表面、第二侧表面、与所述第一侧表面相对的第三侧表面、以及与所述第二侧表面相对的第四侧表面；

所述沟道形成区域层具有形成所述结构的所述底表面的底表面、形成所述结构的所述顶表面的顶表面、形成所述结构的所述第一侧表面的第一侧表面、第二侧表面、形成所述结构的所述第三侧表面的第三侧表面、以及与所述第二侧表面相对的第四侧表面；

所述栅电极层具有形成所述结构的所述底表面的底表面、形成所述结构的所述顶表面的顶表面、形成所述结构的所述第一侧表面的第一侧表面、第二侧表面、形成所述结构的所述第三侧表面的第三侧表面、以及与所述第二侧表面相对的第四侧表面；

第1个所述栅电极层的第二表面形成所述结构的所述第二侧表面；

第N个所述栅电极层的第四表面形成所述结构的所述第四侧表面；

第n(其中，n＝1、2、...、(N-1))个所述沟道形成区域层的第二表面与所述第n个栅电极层的所述第四表面接触；

第n个所述沟道形成区域层的第四表面与第(n+1)个所述栅电极层的第二表面接触；并且

第奇数个所述栅电极层与第偶数个所述栅电极层中之一连接至第一接触部分并且另一层连接至第二接触部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道形成区域层包括具有纳米线结构或纳米片结构的沟道结构部分、和绝缘部分。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道形成区域层的第一表面连接至所述沟道形成区域层共同的源极/漏极区域中之一，并且

所述沟道形成区域层的第三表面连接至所述沟道形成区域层共同的所述源极/漏极区域中的另一区域。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一接触部分形成在所述基底上方并且连接至第一布线，

所述栅电极层具有延伸进所述绝缘材料层中的延伸部；并且

连接至所述栅电极层的所述延伸部的所述第二接触部分连接至形成在所述导电基板上的第二布线。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述栅电极层的所述延伸部贯通所述绝缘材料层。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一方向被视为从所述结构的所述第二侧表面至所述结构的所述第四侧表面的方向，连接至所述第二接触部分的所述栅电极层沿着所述第一方向的厚度大于连接至所述第一接触部分的所述栅电极层沿着所述第一方向的厚度。