[发明专利]用于管芯平铺的技术在审

专利信息
申请号: 201980006856.0 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN111557045A 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: S.V.皮塔姆巴拉姆;段刚;D.库尔卡尼 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/522;H01L23/14;H01L25/065
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 付曼;姜冰
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 管芯 平铺 技术
【权利要求书】:

1.一种形成异构芯片封装的方法,所述方法包括:

使用硅桥将第一基管芯的第一侧的电端子耦合到第二基管芯的第一侧的电端子;

在所述硅桥周围并且邻近所述第一基管芯和第二基管芯的所述第一侧形成有机衬底;以及

将高级节点管芯耦合到所述第一基管芯或所述第二基管芯中的至少一个的第二侧。

2.根据权利要求1所述的方法,包括:在使用所述硅桥将所述第一基管芯的所述第一侧的所述电端子耦合到所述第二基管芯的所述第一侧的所述电端子之前:

将所述第一基管芯的所述第二侧附接到载体;以及

将所述第二基管芯的所述第二侧附接到所述载体。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述载体是基于玻璃的载体。

4.根据权利要求2所述的方法,包括:在所述载体上对所述第一基管芯或所述第二基管芯定速之前,在所述载体上制造基准标记以辅助放置所述第一基管芯和第二基管芯。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述制造所述基准标记包括在所述载体上沉积种子层,并且在所述种子层上制造所述基准标记。

6.根据权利要求4所述的方法,其中所述基准标记被配置成辅助将多于两个基管芯放置在所述载体上。

7.根据权利要求2所述的方法,包括:在使用所述硅桥将所述第一基管芯的所述第一侧的所述电端子耦合到所述第二基管芯的所述第一侧的所述电端子之前,利用介电材料对所述第一基管芯和第二基管芯进行二次注塑。

8.根据权利要求7所述的方法,包括研磨所述介电材料以暴露所述第一基管芯的所述第一侧的所述电端子。

9.根据权利要求7所述的方法,包括研磨所述介电材料以暴露所述第二基管芯的所述第一侧的所述电端子。

10.根据权利要求2所述的方法,包括:在形成所述有机衬底之后移除所述载体。

11.根据权利要求10所述的方法,包括蚀刻邻近所述第一基管芯的所述第二侧和所述第二基管芯的第二侧的粘合剂以暴露所述第一基管芯的所述第二侧的电端子并且以暴露所述第二基管芯的所述第二侧的电端子。

12.根据权利要求1所述的方法,包括对所述高级节点管芯进行底部填充。

13.根据权利要求12所述的方法,包括对所述高级节点管芯进行二次注塑。

14.一种异构芯片封装,包括:

第一基管芯;

第二基管芯;

硅桥,所述硅桥被配置成将所述第一基管芯的第一侧的端子与所述第二基管芯的第一侧的端子耦合;

有机衬底,所述有机衬底在所述硅桥周围并且邻近所述第一基管芯和第二基管芯的所述第一侧而被设置,所述有机衬底被配置成提供用于将所述异构芯片封装耦合到电路的电端子;以及

高级节点管芯,所述高级节点管芯耦合到所述第一基管芯或所述第二基管芯中的一个的第二侧的电连接。

15.根据权利要求14所述的异构芯片封装,其中所述第一基管芯被配置成将所述第一基管芯的所述第一侧的第二端子与所述第一基管芯的所述第二侧的第二端子连接。

16.根据权利要求14所述的异构芯片封装,其中所述第二基管芯被配置成将所述第二基管芯的所述第一侧的第二端子与所述第二基管芯的所述第二侧的第二端子连接。

17.根据权利要求14所述的异构芯片封装,其中所述异构芯片封装的占用区的面积大于700 mm2,并且所述高级节点管芯包括7nm技术。

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