[发明专利]背面研磨带

说明书

本公开内容涉及背面研磨带，包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为‑30℃至0℃。本公开内容还涉及使用背面研磨带研磨晶片的方法。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0064315号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

本公开内容涉及背面研磨带，更特别地，涉及附接至半导体晶片的表面以在半导体制造过程中在背面研磨过程期间保护表面的胶粘带。

背景技术

近来，随着电子器件朝小型化、高功能性和容量增大的趋势日益增加，对半导体封装的致密化和高集成度的需求快速增加。因此，半导体芯片的尺寸变得更大，同时厚度变得更薄，这增加了电路的集成度。然而，半导体芯片本身的模量降低，引起制造过程中或最终产品的可靠性方面的问题。

根据对半导体的增大和减薄的需求，基本上通过用由细金刚石颗粒构成的抛光轮研磨晶片的背表面以减小芯片的厚度来进行背面研磨过程，从而促进组装。在研磨过程期间，由于大量的硅残留物(粉尘)和颗粒，经常发生晶片的损坏例如污染和裂纹。因此，用于保护半导体晶片的表面的胶粘膜或背面研磨带变得更重要。

特别地，当将半导体晶片研磨至极薄的厚度时，晶片的刚性降低并且容易发生翘曲，使得研磨过程中使用的背面研磨带的物理特性的均匀性变得更重要。

发明内容

技术问题

本公开内容将提供背面研磨带，其可以容易地应用于具有薄厚度的晶片的研磨过程，并且可以表现出改善的晶片保护性能。

本公开内容还将提供使用背面研磨带的晶片的研磨方法。

技术方案

提供了背面研磨带，其包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。

还提供了使用背面研磨带研磨晶片的方法。

在下文中，将更详细地描述根据本公开内容的示例性实施方案的背面研磨带和研磨方法。

在本公开内容中，(甲基)丙烯酸酯包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯二者。

如上所述，根据本公开内容的一个实施方案，提供了背面研磨带，其包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。

本发明人通过使用包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂制备了玻璃化转变温度为-30℃至0℃的聚合物树脂层，并且通过实验发现当将所述聚合物树脂层用作背面研磨带时，可以容易地将其应用于具有约50μm的薄厚度的晶片的研磨过程。本发明人还发现背面研磨带具有小于某一水平的恢复率，使得可以防止由于加工期间的应力或热引起的变形，由此实现改善的晶片保护性能，从而完成了本发明。

更具体地，当聚合物树脂层具有-30℃至0℃的玻璃化转变温度，并且包含含有10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂时，对背面研磨带测量的以下恢复率1与以下恢复率2之差的绝对值可以为10％或更小。