[发明专利]背面研磨带

权利要求书

1.一种背面研磨带，包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，

其中所述聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃，

其中所述玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物包括选自以下的至少一种化合物：邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、丙烯酸甲酯和(甲基)丙烯酸环己酯，

其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂还包含含有C2至C12烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元，所述含有C2至C12烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元为源自选自以下的至少一种单体或低聚物的重复单元：(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯和(甲基)丙烯酸癸酯。

2.根据权利要求1所述的背面研磨带，

其中所述背面研磨带的以下恢复率1与以下恢复率2之差的绝对值为10％或更小：

所述恢复率1是当将所述背面研磨带在室温下在第一方向上拉伸5％时恢复长度与拉伸长度之比，以及

所述恢复率2是当将所述背面研磨带在室温下在垂直于所述第一方向的第二方向上拉伸5％时恢复长度与拉伸长度之比。

3.根据权利要求2所述的背面研磨带，

其中所述背面研磨带的所述恢复率1与所述恢复率2之差的绝对值为5％或更小。

4.根据权利要求2所述的背面研磨带，

其中所述第一方向是所述背面研磨带中包括的所述聚合物树脂层的机器方向，以及所述第二方向是所述聚合物树脂层的横向方向。

5.根据权利要求1所述的背面研磨带，

其中所述聚合物树脂层的厚度为5μm至200μm。

6.根据权利要求1所述的背面研磨带，

还包括厚度为1μm至100μm的胶粘层。

7.根据权利要求6所述的背面研磨带，

还包括厚度为5μm至200μm的透光基底。

8.根据权利要求1所述的背面研磨带，

还包括厚度为5μm至200μm的透光基底。

9.根据权利要求7所述的背面研磨带，

其中所述聚合物树脂层形成在所述透光基底的一个表面上，以及所述胶粘层形成在所述透光基底的另一个表面上。

10.根据权利要求1所述的背面研磨带，

其中所述背面研磨带用于抛光厚度为50μm或更小的薄膜晶片。

11.一种使用根据权利要求1所述的背面研磨带研磨晶片的方法。