[发明专利]集成装置及其制备方法

说明书

提供一种集成装置及其制备方法，所述集成装置包括：基板，所述基板的上表面设置有至少一个第一焊盘；硅层，所述硅层设置在所述基板的上方，所述硅层设置有至少一个导电结构，所述至少一个导电结构分别对应所述至少一个第一焊盘；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述硅层的上方，所述第一绝缘层内设置有第一布线层，所述至少一个第一焊盘分别通过所述至少一个导电结构连接至所述第一布线层。基于以上技术方案，能够有效降低所述集成装置的厚度和成本。

技术领域

本申请实施例涉及芯片封装领域，并且更具体地，涉及集成装置及其制备方法。

背景技术

目前，2.5维(Dimensions，D)转接板(silicon/glass interposer)是后摩尔时代的一种重要的先进封装结构。

具体而言，如图1所示，2.5D转接板120选取硅片或玻璃作为基底，先利用晶圆工艺在基底121的两个表面制作重布线层(redistribution layer，RDL)，然后通过镀铜的硅通孔(Through Si Vias，TSV)或玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)122实现电信号从转接板正面的布线层123到背面的布线层124的垂直传递。

在封装过程中，芯片(chip)130以倒桩的形式通过2.5D转接板120封装在基板110上。例如，2.5D转接板120与芯片130通过节距较小的微凸点或焊球连接；于此同时，2.5D转接板120与基板110之间通过节距较大的凸点或焊球连接。

但是，由于2.5D转接板120不仅需要集成TSV/TGV、镀铜、金属平坦化、晶圆减薄、再布线、微细间距铜凸点、高精度芯片键合等完整成套制备工艺，而且安装工艺复杂，增加了成本。而且基于2.5D转接板120形成的产品100，其厚度也过大。

发明内容

提供一种集成装置及其制备方法，能够降低集成装置的成本和厚度。

第一方面，提供了一种集成装置，包括：

基板，所述基板的上表面设置有至少一个第一焊盘；

硅层，所述硅层设置在所述基板的上方，所述硅层设置有至少一个导电结构，所述至少一个导电结构分别对应所述至少一个第一焊盘；

第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述硅层的上方，所述第一绝缘层内设置有第一布线层，所述至少一个第一焊盘分别通过所述至少一个导电结构连接至所述第一布线层。

通过在基板的上表面设置一层硅层以及在所述硅层中设置与所述至少一个第一焊盘分别对应的至少一个导电结构，不仅能够实现垂直和水平方向的高密度金属互连，而且能够避免使用2.5D转接板。相比2.5D转接板，所述集成装置的制备工艺以及将待集成芯片集成到所述集成装置的集成工艺简单，不仅能够降低所述集成装置的成本，而且能够降低所述集成装置的总体厚度。

同时，通过所述硅层支撑第一布线层，能够尽可能缓解所述基板和待集成芯片间的热膨胀系数差异，进而提升所述集成装置的性能。

此外，通过所述硅层支撑所述第一布线层，可以在所述硅层中集成电容器等无源器件，以提高所述集成装置的性能。

在一些可能实现的方式中，所述硅层包括多晶硅层、非晶硅层和微晶硅层中的至少一层。

在一些可能实现的方式中，所述硅层为沉积在所述基板上的沉积层。

在一些可能实现的方式中，所述硅层形成有所述至少一个第一焊盘分别对应的至少一个通孔，其中，所述第一布线层分别延伸至所述至少一个通孔内，且分别连接至所述至少一个第一焊盘，以形成所述至少一个导电结构。

在一些可能实现的方式中，所述第一绝缘层和所述第一布线层均延伸至所述至少一个通孔中的第一通孔内，且所述第一通孔内的第一布线层位于所述第一通孔内的第一绝缘层的外侧。