[发明专利]集成装置及其制备方法

权利要求书

1.一种集成装置，其特征在于，包括：

基板，所述基板的上表面设置有至少一个第一焊盘，所述基板的材料包括：树脂和玻纤；

硅层，所述硅层设置在所述基板的上方，所述硅层设置有至少一个导电结构，所述至少一个导电结构分别对应所述至少一个第一焊盘，所述硅层形成有所述至少一个第一焊盘分别对应的至少一个通孔；

第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述硅层的上方，所述第一绝缘层内设置有第一布线层，所述至少一个第一焊盘分别通过所述至少一个导电结构连接至所述第一布线层；

第二绝缘层；

其中，所述第二绝缘层设置在所述硅层和所述第一绝缘层之间，且延伸至所述至少一个通孔中每一个通孔的内壁。

2.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述硅层包括多晶硅层、非晶硅层和微晶硅层中的至少一层。

3.根据权利要求1所述的集成装置，其特征在于，所述硅层为沉积在所述基板上的沉积层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的集成装置，其特征在于，所述第一布线层分别延伸至所述至少一个通孔内，且分别连接至所述至少一个第一焊盘，以形成所述至少一个导电结构。

5.根据权利要求4所述的集成装置，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第一布线层均延伸至所述至少一个通孔中的第一通孔内，且所述第一通孔内的第一布线层位于所述第一通孔内的第一绝缘层的外侧。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的集成装置，其特征在于，所述至少一个通孔中的第二通孔内设置有导电柱，所述第一布线层连接至所述导电柱。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的集成装置，其特征在于，所述至少一个通孔中的每一个通孔的靠近所述第一绝缘层的开口的孔径大于同一通孔的靠近所述基板的开口的孔径。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的集成装置，其特征在于，所述硅层形成有所述至少一个第一焊盘分别对应的至少一个导电区，其中，所述至少一个导电区中每一个导电区的电阻率小于或等于预设阈值，以形成所述至少一个导电结构。

9.根据权利要求8所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置还包括：

第三绝缘层；

其中，所述硅层在所述至少一个导电区的周围形成有贯通所述硅层的凹环，所述第三绝缘层设置在所述硅层和所述第一绝缘层之间，且延伸至所述凹环内，所述第三绝缘层形成有所述至少一个导电区中每一个导电区对应的通孔，所述至少一个导电区中的每一个导电区通过所述第三绝缘层上的同一导电区对应的通孔连接至所述第一布线层。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置还包括：

第四绝缘层；

其中，所述第四绝缘层设置在所述基板和所述硅层之间，所述第四绝缘层形成有所述至少一个第一焊盘中的每一个第一焊盘对应的通孔，所述至少一个第一焊盘中的每一个第一焊盘通过所述第四绝缘层上的同一第一焊盘对应的通孔连接至同一第一焊盘对应的导电结构。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置还包括：

第五绝缘层；

其中，所述第五绝缘层设置在所述硅层和所述基板之间，所述第五绝缘层内设置有第二布线层，所述硅层的至少一个导电结构分别通过所述第二布线层连接至所述至少一个第一焊盘。

12.根据权利要求11所述的集成装置，其特征在于，所述第二布线层中布线的线宽大于所述第一布线层中布线的线宽，和/或，所述第二布线层中布线的间距大于所述第一布线层中布线的间距。

13.根据权利要求1至3中任一项所述的集成装置，其特征在于，所述硅层包括多个硅层单元，所述第一绝缘层延伸至所述多个硅层单元中的每一个硅层单元的周围区域。