[发明专利]一种芯片互连结构、芯片及芯片互连方法在审

专利信息
申请号: 201980004314.X 申请日: 2019-08-15
公开(公告)号: CN111095552A 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 冷寒剑;吴宝全 申请(专利权)人: 深圳市汇顶科技股份有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/98
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 牛芬洁;刘芳
地址: 518045 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 互连 结构 方法
【说明书】:

本申请提供一种芯片互连结构、芯片及芯片互联方法,芯片互连结构包括第一芯片和至少一个第二芯片,所述第一芯片的转接面和所述第二芯片的转接面相对设置,所述第二芯片和所述第一芯片之间还设有至少一个导电组件,每个所述导电组件包括至少一个导电件,所述导电件连接在所述第二芯片的焊盘与所述第一芯片的焊盘之间,本申请提供的芯片互连结构,能够让两个或两个以上芯片互连并高速通信。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种芯片互连结构、芯片及芯片互连方法。

背景技术

随着半导体技术的发展,芯片尺寸趋向微型化,科技的发展对芯片的通讯速度要求也随之越来越高。

目前,传统的封装方式依靠打线和电路板基板连接两颗或多颗芯片,从而实现芯片间引脚的互联,完成通信。其中,打线叫压焊,是指使用金属丝利用热压或超声能源,完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接,即芯片与电路或引线框架之间的连接,常见于表面封装工艺。

然而采用上述传统的封装方式实现两颗或多颗芯片间的互连时,由于两颗或多颗芯片互连时的所采用的引线和基板绕线过长,电阻增大,将导致通讯速度会有瓶颈,如通讯速度下降等,如果需维持通讯速度不变,则需增大功率。若直接将两颗或多颗需要互连通信的芯片做在同一片晶圆上,又会大大的增加生产成本。因此,需要一种能够实现高速通信的芯片互连技术。

发明内容

本申请提供一种芯片互连结构、芯片及芯片互连方法,能够让两个或两个以上芯片互连并高速通信。

第一方面,本申请提供一种芯片互连结构,包括第一芯片和至少一个第二芯片,所述第一芯片的转接面和所述第二芯片的转接面相对设置,所述第二芯片和所述第一芯片之间还设有至少一个导电组件,每个所述导电组件包括至少一个导电件,所述导电件连接在所述第二芯片的焊盘与所述第一芯片的焊盘之间。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,每个所述导电组件包括至少两个依次相连的导电件。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,每个所述导电组件包括第一导电件和第二导电件,所述第一导电件的第一端和所述第一芯片的焊盘连接,所述第一导电件的第二端和所述第二导电件的第一端相互对接,所述第二导电件的第二端和所述第二芯片的焊盘连接。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述导电件为金属件。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述第一导电件和所述第二导电件通过焊接连接,或者,所述第一导电件和所述第二导电件通过导电胶连接。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述导电件的材料为铜、银、锡、金以及铝中的一种或两种。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述第一导电件和所述第二导电件为能够形成共晶的导电金属。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述第一导电件和所述第二导电件通过焊接连接时,所述第一导电件和所述第二导电件的连接处具有共晶层。

如上任一所述的一种芯片互连结构,可选的,所述导电件和所述焊盘为一体式结构。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述第一导电件的第二端与所述第二导电件的第一端具有相同的截面形状。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述导电件垂直设置在所述第二芯片的焊盘与所述第一芯片的焊盘之间。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述导电件为圆柱体或棱柱体。

如上所述的一种芯片互连结构,可选的,所述第二芯片的数量为至少两个,所述第二芯片均设置在所述第一芯片的同一侧,或者所述第二芯片设置在所述第一芯片的正反两侧。

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