[发明专利]一种芯片互连结构、芯片及芯片互连方法

权利要求书

1.一种芯片互连结构，其特征在于，包括第一芯片和至少一个第二芯片，所述第一芯片的转接面和所述第二芯片的转接面相对设置，所述第二芯片和所述第一芯片之间还设有至少一个导电组件，每个所述导电组件包括至少一个导电件，所述导电件连接在所述第二芯片的焊盘与所述第一芯片的焊盘之间。

2.根据权利要求1所述的芯片互连结构，其中，每个所述导电组件包括至少两个依次相连的导电件。

3.根据权利要求2所述的芯片互连结构，其中，所述至少两个依次相连的导电件层叠设置。

4.根据权利要求1所述的芯片互连结构，其中，每个所述导电组件包括第一导电件和第二导电件，所述第一导电件的第一端和所述第一芯片的焊盘连接，所述第一导电件的第二端和所述第二导电件的第一端相互对接，所述第二导电件的第二端和所述第二芯片的焊盘连接。

5.根据权利要求4所述的芯片互连结构，其中，所述导电件为金属件。

6.根据权利要求4或5所述的芯片互连结构，其中，所述第一导电件和所述第二导电件通过焊接连接，或者，所述第一导电件和所述第二导电件通过导电胶连接。

7.根据权利要求4或5所述的芯片互连结构，其中，所述导电件的材料为铜、银、锡、金以及铝中的一种或两种。

8.根据权利要求5所述的芯片互连结构，其中，所述第一导电件和所述第二导电件为能够形成共晶的导电金属。

9.根据权利要求5所述的芯片互连结构，其中，所述第一导电件和所述第二导电件通过焊接连接时，所述第一导电件和所述第二导电件的连接处具有共晶层。

10.根据权利要求1-9中任一所述的芯片互连结构，其中，所述导电件和所述焊盘为一体式结构。

11.根据权利要求4所述的芯片互连结构，其中，所述第一导电件的第二端与所述第二导电件的第一端具有相同的截面形状。

12.根据权利要求11所述的芯片互连结构，其中，所述导电件垂直设置在所述第二芯片的焊盘与所述第一芯片的焊盘之间。

13.根据权利要求11或12所述的芯片互连结构，其中，所述导电件为圆柱体或棱柱体。

14.根据权利要求1所述的芯片互连结构，其中，所述第二芯片的数量为至少两个，所述第二芯片均设置在所述第一芯片的同一侧，或者所述第二芯片设置在所述第一芯片的正反两侧。

15.根据权利要求1-9中任一所述的芯片互连结构，其中，所述第一芯片和所述第二芯片均为单颗裸芯片。

16.根据权利要求15所述的芯片互连结构，其中，所述第一芯片包括第一晶圆，所述第一晶圆上设有第一功能层，所述第一功能层上开设有第一焊盘，所述第一功能层上还设有与外部电路互连的第二焊盘；

所述第二芯片包括第二晶圆，所述第二晶圆上设有第二功能层，所述第二功能层上开设有第三焊盘，所述导电件相接在所述第三焊盘和所述第一焊盘之间。

17.根据权利要求16所述的芯片互连结构，其中，所述第一芯片还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层上设有与所述第一焊盘相连通的第一开窗结构，所述第二芯片还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层上设有与所述第三焊盘相连通的第二开窗结构，所述导电件位于所述第一开窗结构和所述第二开窗结构之间。

18.根据权利要求17所述的芯片互连结构，其中，所述第一芯片和所述第二芯片之间还设有用于密封所述导电组件的密封层。