[发明专利]溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质

说明书

本发明涉及一种溅射靶，其含有0.05at％以上的Bi，金属氧化物的合计含量为10vol％～70vol％，剩余部分至少包含Ru。

技术领域

本说明书公开一种涉及溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质的技术。

背景技术

相对于记录面在垂直方向记录磁的垂直磁记录介质等磁记录介质有时会由多个层构成，该多个层由包含上部记录层和下部记录层的记录层以及其他层构成。这些层分别通过使用与各层对应的溅射靶在基板上进行溅射来依次成膜而形成，其中，有时会使用金属相由以Co为主成分的金属构成、氧化物相包含规定的金属氧化物的溅射靶。作为这样的溅射靶，有专利文献1～4所记载的溅射靶等。

此处，最近的记录层使用了所谓ECC(Exchange-coupled composite：交换耦合复合)介质，该ECC介质交替形成有：铁磁性氧化物层，以Co为主体且含有氧化物；以及交换耦合控制层，使用了以Co和Ru或者Ru为主体且含有氧化物的颗粒膜。此外，在以Ru为主体的中间层与使用了以Co为主体且含有氧化物的铁磁性层的记录层的最下部之间，还为了使记录层的磁性粒子间的分离变好而使用了非磁性且以Co和Ru或者Ru为主体且含有氧化物的颗粒膜的起始层(onset layer)。这样的层例如记载于专利文献1～4。对于这些交换耦合控制层、起始层所使用的颗粒膜，要求促进形成于其上部的铁磁性氧化物层的磁性粒子的高晶体取向性和良好的磁性粒子间的分离的特性。

此处所说的铁磁性氧化物层是指在室温下具有大致400emu/cc以上的饱和磁化强度的层，交换耦合控制层、起始层是指在室温下饱和磁化强度大致为300emu/cc以下的层(参照专利文献3)。

这样的层一般通过向以Co和Ru或者Ru为主体且添加了Pt、Cr等非磁性金属的物质中进一步添加了SiO₂、TiO₂、B₂O₃等金属氧化物的溅射靶来形成。这是由于，能够使在上部形成的铁磁性氧化物层的CoPt磁性粒子的晶体取向性变得良好，并且成为非磁性。此外，制成如下记录层：SiO₂、TiO₂、B₂O₃等金属氧化物同时被溅射而充满磁性粒子间，从而形成所谓的颗粒结构，减弱磁性粒子间的交换耦合，由此能够保持高密度的记录位。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－009086号公报

专利文献2：日本特开2012－053969号公报

专利文献3：日本特开2008－176858号公报

专利文献4：日本特开2011－123959号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，在如上所述的向Co、Ru中添加了SiO₂、TiO₂、B₂O₃等金属氧化物的溅射靶中，为了进一步提高记录密度，磁性粒子的分离性变得不充分。因此，可以说这种溅射靶存在进一步改善的余地。

为了解决这样的问题，本说明书提出一种能够提高磁性粒子的晶体取向和磁性粒子的分离性的溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质。

用于解决问题的方案

本说明书中公开的溅射靶含有0.05at％以上的Bi，金属氧化物的合计含量为10vol％～70vol％，剩余部分至少包含Ru。

本说明书中公开的颗粒膜含有0.05at％以上的Bi，金属氧化物的合计含量为10vol％～70vol％，剩余部分至少包含Ru。

本说明书中公开的垂直磁记录介质具备上述的颗粒膜。