[发明专利]溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质有效
| 申请号： | 201980003870.5 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN111032906B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 清水正义;増田爱美;岩渊靖幸;小庄孝志 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 颗粒 以及 垂直 记录 介质 | ||
1.一种溅射靶，其含有0.05at％以上的Bi，还含有0.5at％～30at％的选自由Pt、Au、Ag、B、Cu、Cr、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ta、W以及V构成的组中的一种以上，金属氧化物的合计含量为10vol％～70vol％，剩余部分至少包含Ru，
所述金属氧化物是由Co、Cr、Si、Ti以及Ta构成的组中的至少一种元素的氧化物。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其包含Co。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其以金属氧化物的形式含有Bi的一部分或全部。
4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其含有0.5at％以上的Bi。
5.一种颗粒膜，其含有0.05at％以上的Bi，还含有0.5at％～30at％的选自由Pt、Au、Ag、B、Cu、Cr、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Pd、Re、Rh、Ta、W以及V构成的组中的一种以上，金属氧化物的合计含量为10vol％～70vol％，剩余部分至少包含Ru，
所述金属氧化物是由Co、Cr、Si、Ti以及Ta构成的组中的至少一种元素的氧化物。
6.根据权利要求5所述的颗粒膜，其包含Co。
7.根据权利要求5或6所述的颗粒膜，其以金属氧化物的形式含有Bi的一部分或全部。
8.根据权利要求5或6所述的颗粒膜，其含有0.5at％以上的Bi。
9.一种垂直磁记录介质，其具备权利要求5～8中任一项所述的颗粒膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JX金属株式会社，未经JX金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980003870.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：皮内针及其包装体以及注射装置
- 下一篇：安装结构体以及纳米粒子安装材料
