[发明专利]一种显示基板及其制造方法在审
申请号: | 201980002909.1 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111033762A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 洪温振;周充佑;汪楷伦;许时渊 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/677;H01L25/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制造 方法 | ||
本发明提供了一种显示基板及其制造方法,所述显示基板包括:背板和多个Micro‑LED芯片;所述Micro‑LED芯片包括第一电极和第二电极;所述背板上设置有凹槽,所述Micro‑LED芯片通过所述第一电极和所述第二电极插接在所述凹槽内与所述背板电连接。本申请通过在背板上设置与第一电极和第二电极相匹配的凹槽,当Micro‑LED芯片有缺陷时,只需要将有缺陷的Micro‑LED芯片从凹槽内拔出,重新插接一个无缺陷的Micro‑LED芯片到对应的凹槽内,Micro‑LED芯片更换方便,克服了传统通过加热焊料对Micro‑LED芯片进行更换带来的芯片松动移位的问题。
技术领域
本发明属于半导体光电子技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制造方法。
背景技术
Micro-LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术,具有良好的稳定性,寿命,以及运行温度上的优势,同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,Micro-LED的亮度更高,且功率消耗量更低,使得Micro-LED具有极大地应用前景。目前Micro-LED芯片安装于背板的方式大多是先在背板上对应的电极位置设置焊料块,通过将Micro-LED芯片的电极与焊料块对准连接,焊料块在加热的状态下呈现熔融状态,冷却降温固化来实现Micro-LED芯片与背板的电连接。
当某一个或多个Micro-LED芯片存在缺陷需要进行更换或转移时,通常需要对一定区域的焊料进行加热,通过焊料融化使Micro LED芯片与背板分离。但这种方法很难做到只针对有缺陷的Micro-LED芯片下方的焊料进行加热,导致与有缺陷Micro-LED芯片相邻的Micro-LED芯片下方的焊料也融化掉,从而造成Micro-LED芯片松动移位,影响Micro-LED芯片的发光性能。
因此,现有技术有待于进一步的改进。
发明内容
鉴于上述现有技术中的不足之处,本发明的目的在于提供一种显示基板及其制造方法,克服现有显示基板中的Micro-LED芯片通过焊料块与背板电连接,当Micro-LED芯片有缺陷时需要通过加热使焊料块融化将有缺陷的Micro-LED芯片与背板分离,容易造成与有缺陷Micro-LED芯片相邻的正常的Micro-LED芯片松动移位,影响其发光性能的缺陷。
本发明所公开的第一实施例为一种显示基板,包括背板和多个Micro-LED芯片,其中,所述Micro-LED芯片包括第一电极和第二电极;所述背板上设置有凹槽;所述Micro-LED芯片通过所述第一电极和所述第二电极插接在所述凹槽内与所述背板电连接。
所述的显示基板,其中,所述凹槽内壁设置有导电层。
所述的显示基板,其中,所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽;
所述第一电极插接在所述第一凹槽内,所述第一电极的横截面形状与所述第一凹槽的横截面形状相同;
所述第二电极插接在所述第二凹槽内,所述第二电极的横截面形状与所述第二凹槽的横截面形状相同。
所述的显示基板,其中,所述Micro-LED芯片还包括半导体层。
所述的显示基板,其中,所述半导体层包括:
第一半导体层;
设置在所述第一半导体层上的活动层;
设置在所述活动层上的第二半导体层。
所述的显示基板,其中,所述第一电极设置在所述第二半导体层上,所述第二电极设置在第一半导体层上。
所述的显示基板,其中,所述第一电极为正电极,所述第二电极为负电极。
所述的显示基板,其中,所述第一半导体层为N型半导体层,所述第二半导体层为P型半导体层。
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