[发明专利]一种显示基板及其制造方法

权利要求书

1.一种显示基板，包括背板和多个Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括第一电极和第二电极；所述背板上设置有凹槽；所述Micro-LED芯片通过所述第一电极和所述第二电极插接在所述凹槽内与所述背板电连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述凹槽内壁设置有导电层。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽；

所述第一电极插接在所述第一凹槽内，所述第一电极的横截面形状与所述第一凹槽的横截面形状相同；

所述第二电极插接在所述第二凹槽内，所述第二电极的横截面形状与所述第二凹槽的横截面形状相同。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述Micro-LED芯片还包括半导体层。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述半导体层包括：

第一半导体层；

设置在所述第一半导体层上的活动层；

设置在所述活动层上的第二半导体层。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极设置在所述第二半导体层上，所述第二电极设置在第一半导体层上。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极为正电极，所述第二电极为负电极。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。

9.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极为负电极，所述第二电极为正电极。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层。

11.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极高度大于所述活动层和所述第二半导体层的厚度之和。

12.一种显示基板的制造方法，用于制造如权利要求1～11任一项所述的显示基板，其特征在于，该显示基板上的Micro-LED芯片的制造方法包括如下步骤：

在基板上形成半导体层；

在所述基板和所述半导体层上形成光阻层；

对所述光阻层进行曝光显影去除所述半导体层上与第一电极和第二电极位置对应的光阻材料；

在所述半导体层上形成第一电极和第二电极。

13.根据权利要求12所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括第一半导体层、第二半导体层和活动层，所述在基板上形成半导体层的步骤包括：

在基板上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成活动层；

在所述活动层上形成第二半导体层。

14.根据权利要求13所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述光阻层远离所述基板的一面到所述基板的距离大于所述第二半导体层远离所述基板的一面到所述基板的距离。

15.根据权利要求12所述的显示基板的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成第一电极和第二电极的步骤之后还包括：

去除所述基板和半导体层上的光阻层。