[发明专利]用于闪存器件的感测放大器有效
| 申请号： | 201980002770.0 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110945586B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 畲敏;汤强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/08;G11C16/28 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 赵磊;刘柳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 闪存 器件 放大器 | ||
1.一种感测放大器，包括：
感测电路，其耦合到位线和感测节点；
充电电路，包括：
第一开关，包括：
第一端，其耦合到系统电压源；以及
第二端，其耦合到所述感测电路；
第二开关，包括：
第一端，其耦合到所述系统电压源；
第二端，其耦合到所述第一开关的第二端；以及
控制端；
第三开关，包括：
第一端，其耦合到所述第二开关的第二端；以及
第二端，其耦合到所述感测节点；
第四开关，包括：
第一端，其耦合到所述感测节点；以及
第二端；以及
第五开关，包括：
第一端，其耦合到所述第四开关的第二端；
第二端，其耦合到电压接地；以及
控制端，其耦合到所述第二开关的控制端；
其中，所述第三开关是N型晶体管；
由系统电压源驱动的反相器电路，包括：
第一锁存节点，其耦合到所述第五开关的所述控制端；以及
第二锁存节点；以及
输入电路，其耦合到所述第一锁存节点、所述第二锁存节点和所述感测节点。
2.根据权利要求1所述的感测放大器，还包括：
第一电流控制晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述系统电压源；
第二端子；以及
控制端子，其被配置为接收电流控制信号；
其中，所述第一电流控制晶体管是P型晶体管，并且所述系统电压源耦合到所述第一电流控制晶体管以用于驱动所述反相器电路。
3.根据权利要求2所述的感测放大器，其中，所述反相器电路包括：
第一P型晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述第一电流控制晶体管的第二端子；
第二端子，其耦合到所述第一锁存节点；以及
控制端子，其耦合到所述第二锁存节点；
第一N型晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述第一锁存节点；
第二端子，其耦合到所述电压接地；以及
控制端子，其耦合到所述第二锁存节点；
第二P型晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述第一电流控制晶体管的第二端子；
第二端子，其耦合到所述第二锁存节点；以及
控制端子，其耦合到所述第一锁存节点；以及
第二N型晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述第二锁存节点；
第二端子，其耦合到所述电压接地；以及
控制端子，其耦合到所述第一锁存节点。
4.根据权利要求3所述的感测放大器，其中，所述输入电路包括：
第六开关，包括：
第一端，其耦合到所述第一锁存节点；以及
第二端；
第七开关，包括：
第一端，其耦合到所述第二锁存节点；以及
第二端，其耦合到所述电压接地；
第八开关，包括：
第一端，其耦合到所述第六开关的第二端；
第二端，其耦合到所述电压接地；以及
控制端，其耦合到所述感测节点；
其中，所述第六开关、所述第七开关和所述第八开关是N型晶体管。
5.根据权利要求1所述的感测放大器，其中，所述反相器电路包括：
第一P型晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述系统电压源；
第二端子，其耦合到所述第一锁存节点；以及
控制端子，其耦合到所述第二锁存节点；
第一N型晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述第一锁存节点；
第二端子，其耦合到所述电压接地；以及
控制端子，其耦合到所述第二锁存节点；
第二P型晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述系统电压源；
第二端子，其耦合到所述第二锁存节点；以及
控制端子，其耦合到所述第一锁存节点；以及
第二N型晶体管，包括：
第一端子，其耦合到所述第二锁存节点；
第二端子，其耦合到所述电压接地；以及
控制端子，其耦合到所述第一锁存节点。
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