[发明专利]用于闪存器件的感测放大器

说明书

一种感测放大器，其包括耦合到位线和感测节点的感测电路、耦合到感测节点和感测电路的充电电路、第一电流控制晶体管、具有耦合到第一电流控制晶体管的第一锁存节点和第二锁存节点的反相器电路、以及耦合到第一锁存节点、第二锁存节点和感测节点的输入电路。第一电流控制晶体管包括耦合到系统电压源的第一端子、耦合到反相器电路的第二端子以及被配置为接收电流控制信号的控制端子。第一电流控制晶体管是P型晶体管。

技术领域

本发明涉及一种感测放大器，更具体地，涉及一种用于闪存器件的感测放大器。

背景技术

非易失性存储器是一种可以在不通电的情况下长时间保留其存储的数据的存储器。闪存器件已经发展成为用于广泛应用的普遍类型的非易失性存储器。闪存器件通常用于电子系统中，例如个人计算机、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、车辆、无线设备、蜂窝电话以及可移动存储器模块，并且闪存的用途在不断扩大。

闪存器件使用被称为NOR闪存和NAND闪存的两种基本架构中的一种基本架构。典型地，用于NAND闪存器件的存储单元阵列被排列为使得一串的存储单元从源极到漏极串联地连接在一起。闪存可以包括存储器阵列，该存储器阵列包括大量浮置栅极晶体管。NAND架构阵列以行和列的矩阵排列其闪存单元阵列，如同传统的或非门NOR阵列那样，使得阵列的每个闪存单元的栅极通过行耦合到字线。然而，与NOR不同，每个存储单元不直接耦合到源极线和列位线。相反，阵列的存储单元以串的形式(通常为8、16、32或更多)排列在一起。在串中的存储单元在公共源极线和列位线之间从源极到漏极串联地耦合在一起。

感测出存储在闪存单元中的内容可能是闪存器件中最重要的操作。实现这一目的的电路被称为感测放大器。感测放大器通过将由所选存储单元从存储单元矩阵汲取的电流引起的电压降与预先确定的电压电平进行比较，来决定闪存单元的内容。感测放大器电路的设计在闪存器件的读取路径中最为重要，因为它决定了存储内容。如果在感测放大器不能正确解译存储单元电流的情况下，它将导致输出端的错误比特。因此，对感测放大器的要求是对温度、电源电压和工艺上的任何变化具有鲁棒性。

发明内容

实施例提供了一种感测放大器，其包括耦合到位线和感测节点的感测电路、耦合到感测节点和感测电路的充电电路、第一电流控制晶体管、具有耦合到第一电流控制晶体管的第一锁存节点和第二锁存节点的反相器电路、以及耦合到第一锁存节点、第二锁存节点和感测节点的输入电路。第一电流控制晶体管包括耦合到系统电压源的第一端子、耦合到反相器电路的第二端子以及被配置为接收电流控制信号的控制端子。第一电流控制晶体管是P型晶体管。

实施例提供了一种感测放大器，其包括耦合到位线和感测节点的感测电路、耦合到感测节点和感测电路的充电电路、第一电流控制晶体管、第二电流控制晶体管、具有耦合到第一电流控制晶体管和第二电流控制晶体管的第一锁存节点和第二锁存节点的反相器电路、以及耦合到第一锁存节点、第二锁存节点和感测节点的输入电路。第一电流控制晶体管包括耦合到系统电压源的第一端子、耦合到反相器电路的第二端子以及被配置为接收电流控制信号的控制端子。第二电流控制晶体管包括耦合到系统电压源的第一端子、耦合到反相器电路的第二端子以及被配置为接收电流控制信号的控制端子。第一电流控制晶体管和第二电流控制晶体管是P型晶体管。

实施例提供了一种感测放大器，其包括耦合到位线和感测节点的感测电路、耦合到感测节点和感测电路的充电电路、第一电流控制晶体管、第二电流控制晶体管、具有第一锁存节点和第二锁存节点的反相器电路、以及耦合到第一锁存节点、第二锁存节点和感测节点的输入电路。反相器电路包括第一电流控制晶体管和第二电流控制晶体管。第一电流控制晶体管包括第一端子、耦合到第一锁存节点的第二端子、以及被配置为接收电流控制信号的控制端子。第二电流控制晶体管包括第一端子、耦合到第二锁存节点的第二端子以及被配置为接收电流控制信号的控制端子。第一电流控制晶体管和第二电流控制晶体管是P型晶体管。

附图说明