[发明专利]显示基板、显示面板及拼接屏有效
申请号: | 201980002629.0 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN113424323B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 赵蛟;肖丽;玄明花;郑皓亮;刘冬妮;刘静;齐琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H10K59/12;H10K59/121;H10K59/124;H10K59/131 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 拼接 | ||
一种显示基板、显示面板及拼接屏,属于显示技术领域。显示基板,划分为显示区(AA)和绑定区(BA);所述显示基板包括:基底(10),设置在基底(10)上,且对应显示区(AA)的像素驱动电路;其中,显示基板还包括:设置在基底(10)上的层间绝缘层(4)和信号引入线(5);信号引入线(5)至少包括位于层间绝缘层(4)背离基底(10)一侧的第一子信号引入线(51);第一子信号引入线(51)与绑定区(BA)的第一连接焊盘(91)连接,用于将外部信号引入至像素驱动电路;层间绝缘层(4)包括多层子绝缘层(41,42,43,44),且多层子绝缘层(41,42,43,44)在靠近显示区(AA)靠近绑定区(BA)的位置限定出多级台阶结构。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板、显示面板及拼接屏。
背景技术
目前,微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示技术正在日新月异地发展,由于其突出的优点:体积微型、低耗电、高色彩饱和度、反应速度快、寿命长等吸引了广大科技工作者的投入研究。但由于巨量转移技术还没有发展成熟,使得MicroLED显示器在高分辨率、大尺寸上的发展受到了阻碍。针对现有巨量转移技术的能力对应的是电视级及巨幕显示,通过无缝拼接显示技术可以弥补当下巨量转移技术的不足实现大屏显示。在Micro LED拼接显示屏中要实现真正无缝拼接需要通过侧接线(Side wiring)技术将显示面板正面信号例如数据电压信号和源极驱动器的端连接焊盘引接到显示面板背面进行芯片绑定(IC bonding)等连接,但Side wiring bonding良率是目前制约其快速发展的一个重要原因。
发明内容
本发明实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板、显示面板及拼接屏。
第一方面,本发明实施例提供一种显示基板,划分为显示区和绑定区;所述显示基板包括:基底,设置在所述基底上,且对应所述显示区的像素驱动电路;其中,所述显示基板还包括:设置在所述基底上的层间绝缘层和信号引入线;
所述信号引入线至少包括位于所述层间绝缘层背离所述基底一侧的第一子信号引入线;所述第一子信号线与所述绑定区的第一连接焊盘连接,用于将外部信号引入至所述像素驱动电路;
所述层间绝缘层包括多层子绝缘层,且所述多层子绝缘层在靠近所述显示区靠近所述绑定区的位置限定出多级台阶结构。
其中,所述像素驱动电路至少包括设置在所述基底上的开关晶体管、驱动晶体管,以及与开关晶体管的第一极连接数据线;所述层间绝缘层包括依次设置所述数据线背离所述一侧的四层子绝缘层,分别为第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层、第四子绝缘层;
所述第一子绝缘层和所述第三子绝缘层仅位于所述显示区;所述第三子绝缘层靠近所述绑定区的边缘在所述基底上的正投影,被限定在所述第一子绝缘层在所述基底上的正投影内,且与所述述第一子绝缘层靠近所述绑定区的边缘存在一定距离;
所述第一子信号引入线设置在所述第三子绝缘层背离所述基底的一侧;所述信号引入线信号引入线还包括位于所述显示区的第二子信号引入线;所述第二信号引入线位于所述第二子绝缘层和所述第三子绝缘层之间,并通过贯穿所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层的第一过孔与所述数据线连接;所述第一子信号引入线通过贯穿所述第三子绝缘层和所述第四子绝缘层的第二过孔与所述第二信号引入线连接。
其中,所述像素驱动电路还包括:位于所述第四子绝缘层背离所述基底的一侧还设置有第一衬垫和第二衬垫;在所述第二子绝缘层和所述第三子绝缘层之间还设置有第一连接电极;所述第一连接电极通过贯穿所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层的第三过孔与所述驱动晶体管的第一极连接,以及通过贯穿第三子绝缘层和所述第四子绝缘层的第四过孔与第一衬垫;所述第一衬垫与发光器件的第一极连接;所述第二衬垫与所述发光器件的第二极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的