[发明专利]显示基板、显示面板及拼接屏有效
| 申请号: | 201980002629.0 | 申请日: | 2019-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN113424323B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
| 发明(设计)人: | 赵蛟;肖丽;玄明花;郑皓亮;刘冬妮;刘静;齐琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H10K59/12;H10K59/121;H10K59/124;H10K59/131 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 拼接 | ||
1.一种显示基板,划分为显示区和绑定区;所述显示基板包括:基底,设置在所述基底上,且对应所述显示区的像素驱动电路;其中,所述显示基板还包括:设置在所述基底上的层间绝缘层和信号引入线;
所述信号引入线至少包括位于所述层间绝缘层背离所述基底一侧的第一子信号引入线;所述第一子信号引入线与所述绑定区的第一连接焊盘连接,用于将外部信号引入至所述像素驱动电路;
所述层间绝缘层包括多层子绝缘层,且所述多层子绝缘层在靠近所述显示区靠近所述绑定区的位置限定出多级台阶结构;
所述像素驱动电路至少包括设置在所述基底上的开关晶体管、驱动晶体管,以及与开关晶体管的第一极连接的数据线;所述层间绝缘层包括依次设置在所述数据线背离所述基底一侧的四层子绝缘层,分别为第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层、第四子绝缘层;
所述第一子绝缘层和所述第三子绝缘层仅位于所述显示区;所述第三子绝缘层靠近所述绑定区的边缘在所述基底上的正投影,被限定在所述第一子绝缘层在所述基底上的正投影内,且与所述第一子绝缘层靠近所述绑定区的边缘存在一定距离;
所述第一子信号引入线设置在所述第三子绝缘层背离所述基底的一侧;所述信号引入线还包括位于所述显示区的第二子信号引入线;所述第二子信号引入线位于所述第二子绝缘层和所述第三子绝缘层之间,并通过贯穿所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层的第一过孔与所述数据线连接;所述第一子信号引入线通过贯穿所述第三子绝缘层和所述第四子绝缘层的第二过孔与所述第二子信号引入线连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述像素驱动电路还包括:位于所述第四子绝缘层背离所述基底的一侧还设置有第一衬垫和第二衬垫;在所述第二子绝缘层和所述第三子绝缘层之间还设置有第一连接电极;所述第一连接电极通过贯穿所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层的第三过孔与所述驱动晶体管的第一极连接,以及通过贯穿第三子绝缘层和所述第四子绝缘层的第四过孔与第一衬垫连接;所述第一衬垫与发光器件的第一极连接;所述第二衬垫与所述发光器件的第二极连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述像素驱动电路还包括:位于所述第四子绝缘层背离所述基底的一侧还设置有第一衬垫和第二衬垫;在所述第二子绝缘层和所述第三子绝缘层之间还设置有第一连接电极;所述第一连接电极通过贯穿所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层的第三过孔与所述驱动晶体管的第一极连接,以及通过贯穿第三子绝缘层和所述第四子绝缘层的第四过孔与第一衬垫连接;所述第一衬垫与发光器件的第一极连接;所述第二衬垫与所述发光器件的第二极连接;所述第一子信号引入线与所述第二衬垫连接。
4.根据权利要求2或3所述的显示基板,其中,所述第一子信号引入线与所述第一衬垫和所述第二衬垫同层设置材料相同。
5.根据权利要求2或3所述的显示基板,其中,在所述第一衬垫背离所述基底的一侧叠层设置有第一导电图案,用于将所述第一衬垫与所述发光器件的第一极连接;在所述第二衬垫背离所述基底的一侧叠层设置有第二导电图案,用于将所述第二衬垫与所述发光器件的第二极连接。
6.根据权利要求2或3所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:位于所述第一衬垫和所述第二衬垫背离所述基底的一侧的像素限定层;所述像素限定层中设置有容纳部,用于容纳所述发光器件,并使得所述发光器件的第一极与所述第一衬垫电连接,以及所述发光器件的第二极与所述第二衬垫电连接。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述像素限定层的材料包括黑色树脂材料。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其中,在所述像素限定层的容纳部的侧壁上设置有反射层,用于将所述发光器件所发出的光进行反射。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其中,在所述绑定区,所述第一子信号引入线背离所述基底的一侧设置有第一连接焊盘,在所述基底背离所述像素驱动电路的一侧设置有第二连接焊盘,所述第一连接焊盘与所述第二连接焊盘通过侧边走线电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





