[发明专利]驱动基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201980002099.X | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN113168046B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 汪建国 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 及其 制作方法 显示装置 | ||
一种驱动基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。驱动基板包括:衬底基板(1);位于所述衬底基板(1)上的应力缓冲层(2);位于所述应力缓冲层(2)远离所述衬底基板(1)一侧的走线结构,所述走线结构中与所述应力缓冲层(2)接触的走线的厚度大于阈值;位于所述走线结构远离所述衬底基板(1)一侧的第一绝缘层(6);位于所述第一绝缘层(6)远离所述衬底基板(1)一侧的多个电子元件,所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层(6)的过孔(11)与走线结构连接。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别是指一种驱动基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
LED通常用于构成显示面板的光源。
发明内容
本公开实施例提供一种驱动基板及其制作方法、显示装置,能够实现大尺寸的驱动基板。
为解决上述技术问题,本公开的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种驱动基板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的应力缓冲层;
位于所述应力缓冲层远离所述衬底基板一侧的走线结构,所述走线结构中与所述应力缓冲层接触的走线的厚度大于阈值;
位于所述走线结构远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层;
位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的多个电子元件,所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与走线结构连接。
在一些实施例中,
所述走线结构包括至少两层走线层,每层走线包括多条走线,相邻两层走线层之间间隔有第二绝缘层,从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向上,前一层的每一走线与后一层的至少一个走线连接,最后一层的每一走线与至少一个电子元件连接。
在一些实施例中,所述走线结构包括第一层走线层和第二层走线层,所述第一层走线层包括多个相互绝缘的第一走线,所述第二层走线层包括多个相互绝缘的第二走线,每一所述第一走线通过贯穿所述第二绝缘层的过孔与至少一个所述第二走线连接,每一所述第二走线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与至少一个电子元件连接。
在一些实施例中,所述第二层走线层包括阵列排布的多组第二走线,每组第二走线大致沿方形环状分布。在一些实施例中,所述第一走线和/或所述第二走线包括铜层。
在一些实施例中,所述第一走线还包括位于所述铜层靠近所述衬底基板一侧的第一金属层,所述第一金属层与所述应力缓冲层的粘附力大于所述铜层与所述应力缓冲层的粘附力;和/或
所述第二走线还包括位于所述铜层靠近所述衬底基板一侧的第二金属层,所述第二金属层与所述第二绝缘层的粘附力大于所述铜层与所述第二绝缘层的粘附力。
在一些实施例中,所述第一金属层和所述第二金属层采用以下至少一种:Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。
在一些实施例中,所述第一金属层的厚度为5-50nm,所述第二金属层的厚度为5-50nm,所述铜层的厚度为1~30μm。
在一些实施例中,所述第一走线还包括位于所述铜层远离所述衬底基板一侧的第一导电保护层;和/或
所述第二走线还包括位于所述铜层远离所述衬底基板一侧的第二导电保护层。
在一些实施例中,所述第一导电保护层和所述第二导电保护层采用以下至少一种:Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。
在一些实施例中,所述第一导电保护层的厚度为5-50nm,所述第二导电保护层的厚度为5-50nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980002099.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。