[发明专利]驱动基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的应力缓冲层；

位于所述应力缓冲层远离所述衬底基板一侧的走线结构，所述走线结构中与所述应力缓冲层接触的走线的厚度大于阈值，所述走线结构包括至少两层走线层，每层走线包括多条走线，相邻两层走线层之间间隔有第二绝缘层；

位于所述走线结构远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧的多个电子元件，所述电子元件通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与走线结构连接；

位于所述走线结构远离所述衬底基板一侧表面的NiAu层，所述NiAu层与所述电子元件的焊锡形成合金，所述电子元件通过所述合金固定在所述驱动基板上；

所述驱动基板包括显示区域和位于显示区域周边的绑定区域，贯穿所述第二绝缘层的过孔包括位于所述显示区域的第一过孔和位于所述绑定区域的第二过孔，所述第一过孔的直径小于所述第二过孔的直径。

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，

从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向上，前一层的每一走线与后一层的至少一个走线连接，最后一层的每一走线与至少一个电子元件连接。

3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述走线结构包括第一层走线层和第二层走线层，所述第一层走线层包括多个相互绝缘的第一走线，所述第二层走线层包括多个相互绝缘的第二走线，每一所述第一走线通过贯穿所述第二绝缘层的过孔与至少一个所述第二走线连接，每一所述第二走线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与至少一个电子元件连接。

4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述第二层走线层包括阵列排布的多组第二走线，每组第二走线大致沿方形环状分布。

5.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述第一走线和/或所述第二走线包括铜层。

6.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，

所述第一走线还包括位于所述铜层靠近所述衬底基板一侧的第一金属层，所述第一金属层与所述应力缓冲层的粘附力大于所述铜层与所述应力缓冲层的粘附力；和/或

所述第二走线还包括位于所述铜层靠近所述衬底基板一侧的第二金属层，所述第二金属层与所述第二绝缘层的粘附力大于所述铜层与所述第二绝缘层的粘附力。

7.根据权利要求6所述的驱动基板，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。

8.根据权利要求7所述的驱动基板，其特征在于，所述第一金属层的厚度为5-50nm，所述第二金属层的厚度为5-50nm，所述铜层的厚度为1～30μm。

9.根据权利要求6所述的驱动基板，其特征在于，

所述第一走线还包括位于所述铜层远离所述衬底基板一侧的第一导电保护层；和/或

所述第二走线还包括位于所述铜层远离所述衬底基板一侧的第二导电保护层。

10.根据权利要求9所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电保护层和所述第二导电保护层采用以下至少一种：Mo、MoNb、MoTi、MoWu、MoNi、MoNiTi。

11.根据权利要求10所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电保护层的厚度为5-50nm，所述第二导电保护层的厚度为5-50nm。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的驱动基板，其特征在于，所述应力缓冲层采用以下至少一种：SiN、SiO、SiON。