[发明专利]图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置

说明书

本申请公开了一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置。所述图像传感器的半导体结构(600)包括半导体衬底(101)和设置于所述半导体衬底的多个像素，其中所述多个像素包括：第一像素(P5')和第二像素(P6)，各包括：至少一光敏传感器(502、504、506、508)，用来将光线转换为电荷；以及输出电路，用来依据所述电荷产生像素输出，所述输出电路包括源跟随晶体管(108)以及行选择晶体管(110)；其中，从俯视图来看，所述第一像素的所述行选择晶体管和所述第二像素的所述行选择晶体管位于所述第一像素的所述源跟随晶体管和所述第二像素的所述源跟随晶体管之间。本申请对图像传感器的半导体结构的输出电路进行改良以降低面积并改善效能。

技术领域

本申请涉及一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置，尤其涉及一种能增加源跟随晶体管的沟道长度的图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置。

背景技术

CMOS图像传感器已经得到大规模生产和应用，随著画质要求的提升，像素的数目也越来越大，为了尽量在有限的面积中增加像素的数目，单位像素的尺寸要尽可能地缩小，也就是说，单位像素中的光敏传感器和输出电路的尺寸都要跟著缩小。

然而，将输出电路的尺寸缩小，往往会影响到输出电路的效能，因此，如何兼顾面积与效能，已成为本领域的一个重要的工作项目。

发明内容

本申请的目的之一在于公开一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置，来解决上述问题。

本申请的一实施例公开了一种图像传感器的半导体结构，所述图像传感器的半导体结构包括半导体衬底和设置于所述半导体衬底的多个像素，其中所述多个像素包括：第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素均包括：至少一光敏传感器，用来将光线转换为电荷；以及输出电路，用来依据所述电荷产生像素输出，所述输出电路包括源跟随晶体管以及行选择晶体管，所述源跟随晶体管的一源/漏极电连接于所述行选择晶体管的一源/漏极；其中，从俯视图来看，所述第一像素的所述行选择晶体管和所述第二像素的所述行选择晶体管均位于所述第一像素的所述源跟随晶体管和所述第二像素的所述源跟随晶体管之间。

本申请的一实施例公开了一种芯片，包括上述的图像传感器的半导体结构。

本申请的一实施例公开了一种电子装置，包括上述的图像传感器的半导体结构。

本申请实施例针对图像传感器的半导体结构的输出电路之配置方式进行改良，可降低面积并改善输出电路的效能。

附图说明

图1为本申请的图像传感器的半导体结构的第一实施例的俯视图。

图2为本申请的图像传感器的半导体结构的第二实施例的俯视图。

图3为图1和图2的图像传感器的像素的电路图。

图4为基于图1的图像传感器的半导体结构的拜耳像素组。

图5为基于图2的图像传感器的半导体结构的拜耳像素组。

图6为本申请的图像传感器的半导体结构的第三实施例的俯视图。

图7为本申请的图像传感器的半导体结构的第四实施例的俯视图。

图8为图6和图7的图像传感器的像素的电路图。

图9为基于图6的图像传感器的半导体结构的拜耳像素组。

图10为基于图7的图像传感器的半导体结构的拜耳像素组。

图11为本申请的图像传感器应用于电子装置中的实施例的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、200、500、600 图像传感器