[发明专利]图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置

权利要求书

1.一种图像传感器的半导体结构，其特征在于，所述图像传感器的半导体结构包括半导体衬底和设置于所述半导体衬底的多个像素，其中所述多个像素包括：

第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素均包括：

至少一光敏传感器，用来将光线转换为电荷；以及

输出电路，用来依据所述电荷产生像素输出，所述输出电路包括源跟随晶体管以及行选择晶体管，所述源跟随晶体管的一源/漏极电连接于所述行选择晶体管的一源/漏极；

其中，从俯视图来看，所述第一像素的所述行选择晶体管和所述第二像素的所述行选择晶体管均位于所述第一像素的所述源跟随晶体管和所述第二像素的所述源跟随晶体管之间。

2.如权利要求1所述的图像传感器的半导体结构，其中从俯视图来看，所述第一像素的所述源跟随晶体管和所述第一像素的所述行选择晶体管的配置方式对称于所述第二像素的所述源跟随晶体管和所述第二像素的所述行选择晶体管的配置方式。

3.如权利要求1或2所述的图像传感器的半导体结构，另包括位线，所述半导体衬底上设置有用于将第一像素及第二像素的行选择晶体管电连接至所述位线的通孔，其中所述第一像素的所述输出电路，通过将其中的所述行选择晶体管的另一源/漏极作为输出端，来输出所述像素输出；所述第二像素的所述输出电路，通过将其中的所述行选择晶体管的另一源/漏极作为输出端，来输出所述像素输出，且所述第一像素的所述输出端和所述第二像素的所述输出端共享通孔以电连接至所述位线。

4.如权利要求3所述的图像传感器的半导体结构，其中所述第一像素的所述输出电路另包括重置晶体管电连接至所述第一像素的所述源跟随晶体管；所述第二像素的所述输出电路另包括重置晶体管电连接至所述第二像素的所述源跟随晶体管。

5.如权利要求4所述的图像传感器的半导体结构，其中从俯视图来看，在所述第一像素中，所述源跟随晶体管设置于所述重置晶体管和所述行选择晶体管之间；以及在所述第二像素中，所述源跟随晶体管设置于所述重置晶体管和所述行选择晶体管之间。

6.如权利要求3所述的图像传感器的半导体结构，其中所述第一像素的所述输出电路另包括至少一传输门电连接于所述第一像素的所述至少一光敏传感器和所述第一像素的所述源跟随晶体管之间；所述第二像素另包括至少一传输门电连接于所述第二像素的所述至少一光敏传感器和所述第二像素的所述源跟随晶体管之间。

7.如权利要求1所述的图像传感器的半导体结构，其中所述第一像素和所述第二像素分别包括四个子像素以形成2×2的共享像素，且所述第一像素和所述第二像素各包括四个光敏传感器对应所述第一像素和所述第二像素各自的所述四个子像素。

8.如权利要求3所述的图像传感器的半导体结构，其中从俯视图来看，所述第一像素的所述源跟随晶体管、所述第一像素的所述行选择晶体管、所述第二像素的所述源跟随晶体管、和所述第二像素的所述行选择晶体管排成一列形成晶体管列。

9.如权利要求8所述的图像传感器的半导体结构，其中从俯视图来看，所述第一像素的所述至少一光敏传感器和所述第二像素的所述至少一光敏传感器设置在所述晶体管列的同一侧。

10.如权利要求9所述的图像传感器的半导体结构，另包括分别设置于所述第一像素和所述第二像素之上的蓝色滤色片及绿色滤色片，从俯视图来看，所述蓝色滤色片重叠于所述第一像素，以及所述绿色滤色片重叠于所述第二像素。

11.如权利要求9所述的图像传感器的半导体结构，另包括分别设置于所述第一像素和所述第二像素之上的绿色滤色片及红色滤色片，从俯视图来看，所述绿色滤色片重叠于所述第一像素，以及所述红色滤色片重叠于所述第二像素。