[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201980001671.0 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN113168062B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 张小祥;韩皓;贾宜訸;杨连捷;丁向前;宋勇志 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
一种显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,显示基板包括:衬底基板(11);位于衬底基板(11)上的金属图形(13),以及位于金属图形(13)靠近衬底基板(11)一侧的减反图形(12);其中,减反图形(12)的材料包括掺杂有难熔金属的氧化钼,难熔金属的熔点大于温度阈值。能够降低显示基板对环境光的反射。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
相关技术的显示基板中,在金属图形的出光侧增加减反图形,以降低显示基板对环境光的反射。
发明内容
本公开的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置。
本公开的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种显示基板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的金属图形,以及
位于所述金属图形靠近所述衬底基板一侧的减反图形;
其中,所述减反图形的材料包括掺杂有难熔金属的氧化钼,所述难熔金属的熔点大于温度阈值。
可选地,所述温度阈值为2000摄氏度。
可选地,所述氧化钼包括二氧化钼和/或三氧化钼,所述难熔金属包括以下至少一种:钽、铌、钛、钨。
可选地,所述减反图形中,所述难熔金属与钼的摩尔比为2:100至10:100。
可选地,所述减反图形的厚度为30nm~75nm,所述金属图形的厚度为5~500nm。
可选地,所述减反图形的厚度与所述金属图形的厚度的比值在0.140~0.160之间。
可选地,所述减反图形的厚度与所述金属图形的厚度的比值小于0.115时,根据测量获得的波峰峰值对应的所述显示基板的反射光包含大于600nm波长的光。
可选地,所述减反图形的厚度与所述金属图形的厚度的比值小于0.170时,根据测量获得的波峰峰值对应的所述显示基板的反射光包含小于500nm波长的光。
可选地,所述减反图形的厚度为50nm~55nm,所述金属图形的厚度为350nm。
可选地,所述减反图形的厚度为50nm~55nm,所述显示基板的反射率小于10%。
可选地,所述显示基板为阵列基板,所述金属图形为栅金属层图形。
可选地,所述金属图形的材料为铜,所述阵列基板还包括源漏金属层图形,所述源漏金属层图形的材料为钼/铝/钼的叠层结构或者铜。
可选地,所述难熔金属包括钽,所述减反图形的厚度为54nm,所述栅金属图形的厚度为350nm,所述源漏金属层图形为钼/铝/钼的叠层结构,所述钼/铝/钼三层的厚度分别为15nm、300nm和80nm。
可选地,所述难熔金属包括钽,所述减反图形的厚度为54nm,所述栅金属图形的厚度为350nm,所述源漏金属层图形的材料为铜,所述源漏金属层图形的厚度为350nm。
可选地,所述显示基板为阵列基板,所述显示基板为阵列基板,所述金属图形包括源漏金属层图形和栅金属层图形,所述金属图形的材料为铜,所述难熔金属包括钽。
可选地,所述金属图形的厚度为350nm,所述减反图形的厚度为54nm。
本公开实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板、与所述显示基板对盒设置的彩膜基板以及背光源,所述显示基板位于所述彩膜基板远离所述背光源的一侧。
附图说明
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