[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201980001671.0 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN113168062B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 张小祥;韩皓;贾宜訸;杨连捷;丁向前;宋勇志 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;胡影
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,包括:

衬底基板;

位于所述衬底基板上的金属图形,以及

位于所述金属图形靠近所述衬底基板一侧的减反图形;

其特征在于,所述减反图形的材料包括掺杂有难熔金属的氧化钼,所述难熔金属的熔点大于温度阈值;

所述减反图形的厚度为30nm~75nm,所述金属图形的厚度为5~500nm;所述减反图形中,所述难熔金属与钼的摩尔比为2:100至10:100;

所述减反图形的厚度与所述金属图形的厚度的比值在0.140~0.160之间;或

所述减反图形的厚度与所述金属图形的厚度的比值小于0.115大于0.086,测量获得的所述显示基板的反射光的波峰峰值包含大于600nm波长的光;或

所述减反图形的厚度与所述金属图形的厚度的比值小于0.215大于0.170,测量获得的所述显示基板的反射光的波峰峰值包含小于500nm波长的光。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述温度阈值为2000摄氏度。

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述氧化钼包括二氧化钼和/或三氧化钼,所述难熔金属包括以下至少一种:钽、铌、钛、钨。

4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述减反图形的厚度为50nm~55nm,所述金属图形的厚度为350nm。

5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述减反图形的厚度为50nm~55nm,所述显示基板的反射率小于10%。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板为阵列基板,所述金属图形为栅金属层图形。

7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述金属图形的材料为铜,所述阵列基板还包括源漏金属层图形,所述源漏金属层图形的材料为钼/铝/钼的叠层结构或者铜。

8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,

所述难熔金属包括钽,所述减反图形的厚度为54nm,所述栅金属层图形的厚度为350nm,所述源漏金属层图形为钼/铝/钼的叠层结构,所述钼/铝/钼三层的厚度分别为15nm、300nm和80nm。

9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,

所述难熔金属包括钽,所述减反图形的厚度为54nm,所述栅金属层图形的厚度为350nm,所述源漏金属层图形的材料为铜,所述源漏金属层图形的厚度为350nm。

10.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板为阵列基板,所述金属图形包括源漏金属层图形和栅金属层图形,所述金属图形的材料为铜,所述难熔金属包括钽。

11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述金属图形的厚度为350nm,所述减反图形的厚度为54nm。

12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-11中任一项所述的显示基板、与所述显示基板对盒设置的彩膜基板以及背光源,所述显示基板位于所述彩膜基板远离所述背光源的一侧。

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