[发明专利]发光二极管及其制作方法、显示装置

说明书

一种发光二极管及其制作方法、显示装置，其中，发光二极管包括：第一半导体层；第二半导体层；发光层，设置于第一半导体层和第二半导体层之间；阻挡层，设置于第一半导体层和第二半导体层中的至少一者的侧面的至少部分区域上，阻挡层被配置为在阻挡层与所述侧面的至少部分区域之间形成电荷耗尽区。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管、发光二极管的制作方法和具有发光二极管的显示装置。

背景技术

近年来，微型发光二极管(Micro LED)作为一种新型的自发光显示技术，受到广泛关注。然而，当发光二极管的尺寸较小(例如小于10μm)时，发光二极管的外量子效率将出现明显的衰减现象，且尺寸越小，外量子效率越低。

发明内容

一方面，提供了一种发光二极管，包括：第一半导体层；第二半导体层；发光层，设置于第一半导体层和第二半导体层之间；阻挡层，设置于第一半导体层和第二半导体层中的至少一者的侧面的至少部分区域上，阻挡层被配置为在阻挡层与所述侧面的至少部分区域之间形成电荷耗尽区。

在一些实施例中，第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层；阻挡层包括覆盖在P型半导体层的侧面的至少部分区域上的第一阻挡层，第一阻挡层的功函数小于P型半导体层的功函数。

在一些实施例中，第一阻挡层包括：第一主体部，覆盖在P型半导体层的侧面上；与第一主体部靠近发光层的一侧连接的第一延伸部，第一延伸部覆盖在发光层的侧面中靠近P型半导体层的部分区域上；在垂直于发光层的一个主表面的方向上，第一延伸部与N型半导体层之间具有间隙。

在一些实施例中，第一阻挡层还包括：与第一主体部远离发光层的一侧连接的第二延伸部，第二延伸部覆盖在P型半导体层远离发光层的主表面的边缘区域上。

在一些实施例中，第一阻挡层在发光层的一个主表面上的正投影呈封闭的框形。

在一些实施例中，第一阻挡层的功函数范围为4.0eV～5.5eV。

在一些实施例中，第一阻挡层的功函数与P型半导体层的功函数之间的差值的绝对值大于或等于0.3eV。

在一些实施例中，第一阻挡层的材料包括金属、导电的金属氧化物、石墨烯和金属性碳纳米管中的至少一种。

在一些实施例中，第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层；阻挡层包括覆盖在N型半导体层的侧面的至少部分区域上的第二阻挡层，第二阻挡层的功函数大于N型半导体层的功函数。

在一些实施例中，第二阻挡层在发光层所确定的平面上的正投影呈封闭的框形。

在一些实施例中，第二阻挡层的功函数范围为4.5eV～5.1eV。

在一些实施例中，第二阻挡层的功函数与N型半导体层的功函数之间的差值的绝对值大于或等于0.3eV。

在一些实施例中，第二阻挡层的材料包括金属、导电的金属氧化物、石墨烯和金属性碳纳米管中的至少一种。

在一些实施例中，第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层；阻挡层包括覆盖在P型半导体层的侧面的至少部分区域上的第一阻挡层，以及，覆盖在N型半导体层的侧面的至少部分区域上的第二阻挡层；在垂直于发光层的一个主表面的方向上，第一阻挡层与第二阻挡层之间具有间隙。

在一些实施例中，第二半导体层具有主体区域和第二电极设置区域，第二半导体层的处于主体区域的部分与发光层及第一半导体层重叠，第二半导体层的处于第二电极设置区域的部分不与发光层及第一半导体层重叠。发光二极管还包括：衬底，设置于第二半导体层远离发光层的一侧；第一电极，设置于第一半导体层远离发光层的主表面上；第二电极，设置于第二半导体层的第二电极设置区域内。