[发明专利]发光二极管及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

第一半导体层；

第二半导体层；

发光层，设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；

阻挡层，设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少一者的侧面的至少部分区域上，所述阻挡层被配置为在所述阻挡层与所述侧面的至少部分区域之间形成电荷耗尽区；所述阻挡层的材料包括导电材料。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层；

所述阻挡层包括覆盖在所述P型半导体层的侧面的至少部分区域上的第一阻挡层，所述第一阻挡层的功函数小于所述P型半导体层的功函数。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阻挡层包括：

第一主体部，覆盖在所述P型半导体层的侧面上；

与所述第一主体部靠近所述发光层的一侧连接的第一延伸部，所述第一延伸部覆盖在所述发光层的侧面中靠近所述P型半导体层的部分区域上；在垂直于所述发光层的一个主表面的方向上，所述第一延伸部与所述N型半导体层之间具有间隙。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阻挡层还包括：

与所述第一主体部远离所述发光层的一侧连接的第二延伸部，所述第二延伸部覆盖在所述P型半导体层远离所述发光层的主表面的边缘区域上。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阻挡层在所述发光层的一个主表面上的正投影呈封闭的框形。

6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阻挡层的功函数范围为4.0eV～5.5eV。

7.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阻挡层的功函数与所述P型半导体层的功函数之间的差值的绝对值大于或等于0.3eV。

8.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括金属、导电的金属氧化物、石墨烯和金属性碳纳米管中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层；

所述阻挡层包括覆盖在所述N型半导体层的侧面的至少部分区域上的第二阻挡层，所述第二阻挡层的功函数大于所述N型半导体层的功函数。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡层在所述发光层所确定的平面上的正投影呈封闭的框形。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡层的功函数范围为4.5eV～5.1eV。

12.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡层的功函数与所述N型半导体层的功函数之间的差值的绝对值大于或等于0.3eV。

13.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阻挡层的材料包括金属、导电的金属氧化物、石墨烯和金属性碳纳米管中的至少一种。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层；

所述阻挡层包括覆盖在所述P型半导体层的侧面的至少部分区域上的第一阻挡层，以及，覆盖在所述N型半导体层的侧面的至少部分区域上的第二阻挡层；

在垂直于所述发光层的一个主表面的方向上，所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间具有间隙。