[发明专利]位线驱动器装置

说明书

一种位线驱动器装置，包括半导体衬底和设置在半导体衬底中的至少一个隔离结构。通过所述至少一个隔离结构在半导体衬底中限定有源区。每个有源区在第一方向上延伸，并且有源区中的两个在第二方向上彼此相邻地设置。每个有源区包括第一部分、第二部分和第三部分。第三部分在第一方向上设置在第一部分和第二部分之间。第三部分的宽度小于第一部分的宽度和第二部分的宽度。第三部分可以相应地增大两个相邻有源区之间的距离。

技术领域

本公开内容涉及一种位线驱动器装置，更具体而言，涉及一种包括多个有源区的位线驱动器装置。

背景技术

通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。

3D存储器架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制进出存储器阵列的信号的外围装置。随着3D存储器架构中的存储单元密度增大，外围装置中的部件的尺寸必须相对变小，尤其是当存储器阵列和外围装置形成在同一晶圆上并且用于外围装置的面积(area)有限时。当外围装置的尺寸缩小时会产生许多问题，并且必须解决这些问题以开发具有更高储存容量的3D存储设备。

发明内容

在本公开内容中提供了一种位线(BL)驱动器装置。每个有源区被修改为具有宽度较小的部分，用于增加两个相邻有源区之间的距离并改善位线驱动器装置的电性能。

根据本公开内容的实施例，提供了一种位线驱动器装置。位线驱动器装置包括半导体衬底和设置在半导体衬底中的至少一个隔离结构。通过至少一个隔离结构在半导体衬底中限定有源区。每个有源区在第一方向上延伸(elongate)，并且有源区中的两个在第二方向上彼此相邻地设置。每个有源区包括第一部分、第二部分和第三部分。第三部分在第一方向上设置在第一部分和第二部分之间。第三部分的宽度小于第一部分的宽度和第二部分的宽度。

在一些实施例中，第一部分的宽度等于第二部分的宽度。

在一些实施例中，第二方向上的第三部分之间的距离大于第二方向上的第一部分之间的距离和第二方向上的第二部分之间的距离。

在一些实施例中，第二方向上的第一部分之间的距离等于第二方向上的第二部分之间的距离。

在一些实施例中，第二方向上的第三部分之间的间距等于第二方向上的第一部分之间的间距和第二方向上的第二部分之间的间距。

在一些实施例中，位线驱动器装置还包括设置在半导体衬底上的栅极结构。栅极结构在第二方向上延伸，并且栅极结构部分地与每个有源区重叠。

在一些实施例中，栅极结构在半导体衬底的厚度方向上与第二部分部分地重叠。

在一些实施例中，栅极结构在半导体衬底的厚度方向上与第三部分部分地重叠。

在一些实施例中，栅极结构在半导体衬底的厚度方向上不与第一部分重叠。

在一些实施例中，位线驱动器装置还包括漏极区和源极区。漏极区和源极区设置在有源区中。每个漏极区的至少一部分设置在第一部分中的一个中。每个源极区的至少一部分设置在第二部分中的一个中。设置在相同有源区中的漏极区和源极区在第一方向上设置在栅极结构的两个相对侧。

在一些实施例中，每个漏极区还设置在第三部分中。

在一些实施例中，每个漏极区在第二方向上的最小长度等于每个第三部分的宽度。

在一些实施例中，每个漏极区在第二方向上的最大长度等于每个第一部分的宽度。

在一些实施例中，每个漏极区在第一方向上的长度大于每个源极区在第一方向上的长度。