[实用新型]一种芯片有效
申请号: | 201922498189.2 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN211320113U | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 刘宏亮;李莹;杨彦伟 | 申请(专利权)人: | 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/0352 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 李雪鹃 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 | ||
1.一种芯片,其特征在于,包括:
芯片衬底;
外延功能层,设置在所述芯片衬底第一表面,所述外延功能层包括第一电极凸台和第二电极凸台;
芯片表层,设置于所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧,所述芯片表层包括:
第一电极焊盘,与所述外延功能层中的第一电极凸台连接,
第二电极焊盘,与所述外延功能层中的第二电极凸台连接;
其中,所述芯片衬底背离外延功能层的第二表面为正方形,所述第一电极焊盘为轴对称图形,所述第一电极焊盘的对称轴与所述芯片衬底的第一对角线平行。
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述第一电极焊盘的对称轴在所述芯片衬底的第二表面上的投影,与所述芯片衬底的第二表面的第一对角线重合。
3.根据权利要求1或2所述的芯片,其特征在于,所述第一电极焊盘包括第一电极环、第一焊盘及第一电极线;
所述第一电极环环绕所述芯片的通光窗口,所述第一电极环还所述外延功能层中的第一电极凸台连接;
所述第一焊盘为圆形或椭圆形;
所述第一电极线将所述第一焊盘与所述第一电极环相连;
其中,所述第一焊盘的中心与所述通光窗口圆心之间的连线,为所述第一电极焊盘的对称轴。
4.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于,所述第二电极焊盘包括第二电极环、第二焊盘及第三焊盘;
所述第二电极环为半环,连接所述第二焊盘与第三焊盘,所述第二电极环还与所述外延功能层中的第二电极凸台连接;
所述第二焊盘和第三焊盘以所述第一电极焊盘的对称轴为对称轴,设置于第一电极线的两侧。
5.根据权利要求4所述的芯片,其特征在于,所述第二焊盘与第三焊盘之间设有第一开口部,以使所述第一电极线从所述第一开口部中引出。
6.根据权利要求4所述的芯片,其特征在于,所述第二焊盘中心与所述第三焊盘中心的连线,与所述芯片衬底的第二对角线平行。
7.根据权利要求4所述的芯片,其特征在于,所述第二电极焊盘包括第三电极环、第三电极线及第四焊盘;
所述第三电极环为半环,所述第三电极环环绕所述第二电极环,所述第三电极环与所述外延功能层中的第二电极凸台连接;
所述第三电极线连接所述第三电极环及所述第四焊盘;
所述第四焊盘为圆形或椭圆形,所述第四焊盘中心与所述通光窗口中心的连线与所述芯片衬底的第一对角线平行。
8.根据权利要求7所述的芯片,其特征在于,所述第三电极环设置有第二开口部,以使所述第一电极线从所述第二开口部中引出。
9.根据权利要求6所述的芯片,其特征在于,所述外延功能层包括与非掺杂GaAs衬底晶格匹配的多层子功能层;
所述多层子功能层在垂直于所述芯片衬底的方向上层叠设置。
10.根据权利要求9所述的芯片,其特征在于,所述多层子功能层包括:
在所述芯片衬底的同一侧依次外延生长的缓冲层、吸收层、本征层以及顶层;
所述顶层表面设置有接触层;
所述缓冲层用于形成所述第二电极凸台,所述吸收层、所述本征层以及所述顶层用于形成所述第一电极凸台。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的